厦门华联电子有限公司的简介

半导体光电子器件：超高亮度发光二级管、普通亮度发光二级管、贴片发光二级管、LED数码显示器、特种LED显示器、背光源、白光LED、功率LED、一体化红外遥控接收放大器、红外发光二级管、光耦合器、光MOS继电器、光传感器、光敏二级管。 LED照明应用产品: LED路灯、LED台灯、LEDT8灯管、LED球灯、LED射灯、隧道灯、吊灯、栅格灯、太阳能庭院灯、七彩像素护栏灯、七彩数码护栏灯、单色护栏灯、七彩点光灯、单色点光灯、大功率投光灯、地埋灯、草坪灯、水底灯、全彩LED像素屏。

医疗电子产品:电子血压计

微控制器和遥控器：各种红外遥控发射器、接收器、空调控制器、冰箱控制器、洗衣机控制器、电热水器控制器、微波炉控制器、电源板控制器、运动休闲类产品控制器、电视机顶盒和其他各种微控制器。

公司在于厦门市火炬园开发区、思明区前埔工业园分别拥有2.4万平方米面积自建工业厂房。

确保产品实物质量、满足用户要求是华联人的宗旨，快速到位是华联人的作风。公司积极推行用户满意工程，实施名牌战略，注重现场管理，加强售后服务。在参与国际市场竞争的同时积极推进企业文化建设，多次荣获省市文明单位、明星企业和全国推进用户满意工程先进企业。

我们将继续以优质的产品和服务满足用户的期望，致力于高素质、高标准、不断超越“的战略实施，树形象、创品牌、争第一，步入更高层次的发展阶段。

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。

1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

mos是指半导体金属氧化物。

mos详细解释：Metal - Oxide - Silicon，金属 - 氧化硅 - 硅。

金属氧化物半导体因其独特的理化性能在众多的气敏材料中脱颖而出，在气敏传感过程中展现了更加宽广的气体浓度检测范围、更低的检测极限以及在高温和恶劣环境中更好的稳定性等优势，从而受到广泛的运用和研究。

半导体性能金属氧化物：

金属氧化物，特别是具有半导体性能的金属氧化物是氧化-还原型反应的有效催化剂。工业催化剂通常含有一个以上的金属氧化物组分，称为复合金属氧化物催化剂。

一般而言，其中至少有一种是过渡金属氧化物，各组分之间形成分子级混合，发生相互作用，调 节催化剂的电性能和表面酸性，提高催化活 性和选择性。

金属氧化物的分解产物有两种情况：

分解生成金属单质和氧气 这类反应的总规律是金属越活泼，形成的氧化物越稳定，越难分解反之则易分解。受热能分解的只有不活泼金属形成的氧化物，如氧化汞、氧化银等还有部分金属氧化物熔融状态时通电分解。

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