2、封装过程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后,被切割为小的晶片(Die),然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上,再利用超细的金属(金、锡、铜、铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond
Pad)连接到基板的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路;然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护,塑封之后,还要进行一系列 *** 作,如后固化(Post
Mold
Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、电镀(Plating)以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试,通常经过入检(Incoming)、测试(Test)和包装(Packing)等工序,最后入库出货。典型的封装工艺流程为:划片→
装片→
键合→
塑封→
去飞边→
电镀
→打印→
切筋→成型→
外观检查→
成品测试→
包装出货。
3、半导体器件有许多封装形式,按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的需求,改善了半导体器件的性能;芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装面积减到最小。
4、半导体封装形式:金属封装、陶瓷封装、金属+陶瓷封装、塑料封装(最主要的封装形式)
封装之后的测试不熟,有FT、SLT等,具体不详,yield map一类,以前在fab的时候,看到的是结果,具体测法不详,说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。
1,出厂必测的WAT,wafer acceptance test,主要是电性能测试,每一类晶体管的参数,电压电容电阻等,每一层金属的电阻,层间的电容等,12寸厂的晶圆抽测9颗样点,均匀分布在整个wafer上,答主熟悉的55nm技术,每一个样点上必测70~120个参数,整片wafer测完约需要10~15分钟,设备主要是安捷伦和东电的;
2,在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等,膜厚是13点,线宽是9点;
3,光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值,要配合后端芯片的再制备;
4,在测试芯片(非生产性正常检测)的时候,还会测试NBTI、TDDB、GOV等;
5,其他根据芯片特性的测试。
半导体具有在不同电压下电阻不同的特性1、半导体处于导通状态,电阻非常小但根据伏安特性是有电阻存在的
2、半导体处于截止状态,电阻非常大但电压加到一定程度时可以出现击穿
3、半导体处于临界状态,电阻值根据伏安特性是可以计算的
综上所述:半导体是可以用伏安测试仪测电阻的,只是不同状态,不同电压,正负方向电阻是不同的,所以,销售半导体的厂商,产品手册上提供伏安特性表,是一个平面坐标系。
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