由于闻泰 科技 和苹果还有小米合作，闻泰 科技 一跃成为全球最大的手机ODM企业。但随着手机出货量自2017年达到顶峰后，手机连续几年下降，由此造成闻泰 科技 业绩止步不前为了扭转局面，2019年，闻泰 科技 以268.54亿元交易对价收购了安世半导体79.98%的股权，正式进军半导体行业。
这次收购，可谓震撼了中国半导体行业和整个资本市场。让闻泰 科技 从手机代工工厂一跃成为中国最大的半导体上市公司，填补了我国在高端芯片及器件的技术空白，这是中国资本第一次买到国际一流公司的核心技术及优质资产。收购安世半导体，不仅推动了闻泰 科技 营收和利润增长外，还有望为其打开欧美日韩渠道。
而且通过这次收购，闻泰 科技 的主营业务形成了通信和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、 汽车 电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。
受此影响，闻泰 科技 在股票市场上，可味一路高歌，从2019年8月股价从38元启动，到2020年2月，短短半年时间涨到171元，涨幅高达450%，市值高达两千多亿，成为A股市场半导体市值最高的企业，成为A股市场最瞩目的明星之一。此后闻泰 科技 虽然开始回调，但很快又重新开始了上涨到167元高位，市值重回两千亿高位。正当市场对闻泰 科技 给予厚望，期待闻泰 科技 能给投资者带来更多惊喜时，然而这次上涨并没有持续，很快又迎来了下跌，让人意外的是，这次下跌不是简单的回调，而是一路暴跌，即使期间闻泰 科技 发布多次利好消息，但股价每次反d之后，迎来却是加速下跌，如今距离高点，市值惨遭腰斩，导致无数抄底的投资者深套其中。
为何半导体之王闻泰 科技 去年7月份后，股价一路下挫，市值蒸发超千亿。是市场错杀还是半导体之王名不副实，投资者到底在担心什么？
一、闻泰 科技 收购欧菲光果链业务，不被市场看好。2020年3月29日，闻泰 科技 发布公告称，已与欧菲光就收购境外特定客户（苹果）摄像头模组业务达成一致，闻泰 科技 将以24.2亿元完成对该业务的收购。闻泰 科技 收购摄像头模组业务，可以弥补闻泰 科技 供应链的不足，降低代工成本，获取更大利润。但随着中美贸易战的持续和闻泰 科技 、欧菲光的果链业务并不是很突出，随时有被踢出果链业务的危险。而且投资果链业务投入巨大，获得的利润并不高，一旦失去苹果业务，将会带来巨额损失。如今年欧菲光计提因失去苹果业务造成的损失高达二十多亿，一次计提损失比之前在苹果获得业务赚取的利润还多。
二、频繁收购带来的偿债风险和巨额商誉风险，无疑为闻泰 科技 带来一颗定时炸d，随时有引爆的危险。闻泰 科技 以借款方式收购安世前后共花了331.24亿元，商誉占净资产的比重约为80%，如此巨额商誉始终是悬在闻泰 科技 头顶的达摩克利斯之剑。特别是近几年A股市场的巨额商誉减值，给投资者带来无数次巨额损失，面对闻泰 科技 的巨额商誉，投资者心有余悸。
三、业绩放缓，引发投资者对闻泰 科技 盈利能力的担忧。2021年4月30日闻泰 科技 发布业绩报告，2020年实现归母净利润24.2亿元，同比增长92%。初一看，这业绩还是不错的，但是闻泰 科技 去年前三季度就已经盈利22.6亿元。也就是说，四季度该公司只盈利了1.6亿元，说明闻泰 科技 业绩明显的放缓。而今年一季度报告显示，闻泰 科技 一季度营收和净利润分别为119.9亿和6.5亿，同比分别增长8.3%和6.5，这无疑进一步证实了闻泰 科技 业绩已经出现放缓，而之前闻泰 科技 上涨注定难以持续，引发市场对闻泰 科技 估计进行调整。由此带来的便是闻泰 科技 遭遇业绩和估值的戴维斯双杀。
综合以上来看，闻泰 科技 的股价是明显高估的，而且闻泰 科技 的半导体业务竞争力也不属于顶尖水平，闻泰 科技 半导体之王名不副实，徒有虚名，股价下跌，只是价值的正常回归而已。
半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
一、半导体材料主要种类
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。
（半导体材料）
2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。
（半导体材料元素结构图）
半导体材料
三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。
3、有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。
4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
二、半导体材料实际运用
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。
半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。
（半导体材料）
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。
在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。
三、半导体材料发展现状
相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，
半导体材料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。
（半导体材料）
美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。
日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。
芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。
半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。
与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。
四、半导体材料战略地位
20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、 *** 纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式
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