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是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体(ST)公司率先研制成功,这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar,CMOS和DMOS 器件,称为BCD工艺。了解BCD工艺的特点,需要先了解双极管 bipolar,CMOS和DMOS器件这三种器件的特点。BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体(ST)公司率先研制成功,这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar,CMOS和DMOS 器件,称为BCD工艺。 BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上。它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点,使其互相取长补短,发挥各自的优点。更为重要的是,它集成了DMOS功率器件,DMOS可以在开关模式下工作,功耗极低。不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。整合过的BCD工艺制程,可大幅降低功率耗损,提高系统性能,节省电路的封装费用,并具有更好的可靠性
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