多子和少子分别与什么有关

在杂质半导体中多子的数量与掺杂浓度有关,少子的数量与温度有关。

少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。

在N型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴。在P型半导体中，空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子。不论是N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”，“载流子”导电是半导体所特有的 。

多子主要是靠半导体本身特性决定，即主要靠参杂浓度决定。温度升高虽然会使多子挣脱原子束缚，但多子数量已经很多了，这一点脱离对多子数目影响不大

少子顾名思义，在半导体中不占主导地位，那么参杂浓度对其影响就不大了，而温度的上升却可以使更多的少子脱离原子的束缚，因而少子数量主要由温度决定

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