半导体光刻机与银浆光刻机区别

目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv光刻机和euv光刻机区别是是什么呢？

duv光刻机和euv光刻机区别

1.基本上duv只能做到25nm，而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。

2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空 *** 作。

以上就是duv光刻机和euv光刻机区别了，现在基本都是euv光刻机。

半导体激光雕刻机应用行业：广泛应用于金银首饰、电子、眼镜、通讯产品、标牌、精密机械等金属材料标刻。LSDP-50V优点： 能耗低：应用高效半导体矩阵，使激光转换效率高，总机功耗<900W。只是同等激光功率氪灯泵浦激光系统的四分一。 一体化：高度集成化整机系统，安装简单，便于移动，有利于更好利用空间。 无耗材：仅是定期更换水和滤芯。无须换氪灯等其它耗材，降低了运行成本。 可靠性高：全数字控制系统。没高压元器件，保证了系统的可靠性和稳定性。 效率高：采用先进的扫描系统，最高速度达800mm/min。 精度高：最小字符达0.2mm，适合超精细加工。 配套齐全：整机配旋转夹头，电动数控升降。 *** 作简单：全触摸屏智能控制，界面友好， *** 作简便.

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