多量子阱与超晶格的区别与联系是什么

都是两种或以上的半导体材料交替生长出的周期性薄层的微结构材料,

我的理解,不同的在于,

多量子阱由于量子限域效应,即当其一维多量子阱薄层线度与电子的德布罗意波长可比拟时,电子态呈量子化,连续的能带变为分立的能级,形成驻波形式的波函数,且势垒足够厚,可近似认为相邻量子阱中的波函数无耦合.

而超晶格 势垒层很薄,势阱之间耦合强烈,人称耦合多量子阱.此时多量子阱的各分立能级延展为能带.

叫做超晶格,是因为其周期化薄层线度远大于晶格常数.但通常为几nm、几十nm,与电子平均自由程（德布罗意波长）可比拟

量子阱（QW）是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱（MQW）。

---