东微半导体成立于2008年,注册资本3520万元,专注半导体器件技术创新,拥有多项功率半导体核心专利,核心产品为中低高压功率器件。
东微半导体拥有世界一流的技术研发团队,其原创半浮栅技术曾发表于国际顶级杂志《Science》。东微半导体致力于自主知识产权的半导体器件技术的研发和产业化,是“长三角集成电路设计与制造协同创新中心”的核心成员单位。公司已有50多项发明专利,包括3个美国专利,有多项自主知识产权的国际原创核心器件技术。
2016年3月,东微半导体成为国内首个成功量产充电桩核心芯片的厂商。
法定代表人:龚轶
成立日期:1221148800
注册资本:4425.143万元人民币
所属地区:江苏省
统一社会信用代码:91320594680506522G
经营状态:在业
所属行业:制造业
公司类型:有限责任公司
英文名:
人员规模:50-99人
企业地址:苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405、406室
经营范围:半导体器件、集成电路、芯片、半导体耗材、电子产品的设计、开发、销售、进出口业务及相关技术咨询和技术服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
苏州东微半导体股份有限公司成立于2008年09月12日,法定代表人:龚轶,注册资本:6,737.64元,地址位于苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室。
公司经营状况:
苏州东微半导体股份有限公司目前处于开业状态,公司在科创板板块上市,公司拥有1项知识产权,招投标项目1项。
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截止2020年7月,苏州东微半导体有限公司并未上市。
苏州东微半导体有限公司,于2008年09月12日在苏州工业园区市场监督管理局登记成立。公司类型为有限责任公司,监管机构为苏州工业园区市场监督管理局。
该公司注册资金为4,758.2182万(元),经营范围为半导体器件、集成电路、芯片、半导体耗材、电子产品的设计、开发、销售、进出口业务及相关技术咨询和技术服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
扩展资料:
2013年下半年,东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表,标志着首次国内科学家在半导体核心技术方向获得的重大突破。新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道,引起了国内外业界的高度关注。
2016年东微自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产,打破国外厂商垄断。
2019年东微半导体的GreenMOS大功率超级结MOSFET市场占有率在国内品牌中居首位,在充电桩等高端应用遥遥领先。东微半导体的创新型IGBT进入量产,性能达到国际一流。
参考资料来源:百度百科-苏州东微半导体有限公司
参考资料来源:东微半导体-关于东微
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