铟的研究与利用

一、铟的资源状况

到20世纪90年代初为止，美国已探明铟储量1万吨左右，秘鲁、瑞典、南非、加拿大等国均为数千吨（中国地质矿产信息研究院，1993）。

铟资源主要产地有秘鲁、玻利维亚、加拿大、俄罗斯、中国、法国、比利时、英国、美国和日本等，大部分富铟矿床都产于环太平洋带。加拿大的Mount Pleasant锡多金属矿床就拥有数千吨铟，1998年投产后年产铟25t，产锡3500t。俄罗斯的富铟矿床产于远东地区。美国和日本是全世界铟消费大国，对铟资源非常重视，20多年来一直重视对铟资源的勘查和保护，相继也有不少富铟矿床发现，如日本的鹿儿岛、苗木、丰羽、Toyoha、Nakakoshi等矿床，是日本有名的富铟矿床。我国铟的潜在资源相当丰富，全国16个省区都有富铟矿床发现，已探明铟储量近2万吨，远景储量大于10万吨，80%以上的储量分布在广西、云南、内蒙古、广东四省区（四省区25处富铟矿床中，大、中型富铟矿床12处，小型3处，探明储量1万多吨，占全国铟储量的80%以上），其中以广西和云南居首，仅位于南岭西段的大厂矿田铟储量达6000吨以上，都龙锡锌矿床铟储量达4000多吨，个旧锡矿铟储量达2000多吨，同一地区的白牛厂锡多金属矿床也是一个超大型富铟矿床。研究显示，内蒙古东部地区的孟恩陶勒盖、大井、布敦化、白音诺、闹牛山、敖脑达巴等锡-铅-锌-银多金属矿床也含有很高的铟，孟恩陶勒盖矿床铟储量达400多吨，该区有可能成为我国另一个重要的富铟矿床密集区。

过去认为铟主要从铅锌矿床中回收，其实并非所有的铅锌矿床都富铟，其中一个重要原因是由于铟资源的稀少，故把铅锌矿石中铟的回收指标定得很低（5×10-6～10×10-6，全国矿产储量委员会办公室，1987）。我们所说的富铟矿床，是指铟在矿床中大量富集了的矿床，矿石中一般铟含量在（50～100）×10-6以上，闪锌矿（为主要含铟金属矿物）为（500～3000）×10-6，甚至更高。

处于环太平洋带中的印度尼西亚、马来西亚等国，产出有世界著名的锡石硫化物矿床，但是这些国家由于工业发现的滞后，对铟的研究与开发也相对薄弱，相信这些地区的铟具有巨大的资源潜力等待开发利用。

二、铟的应用及需求

从铟的发现到1950年以前的近100年中，铟的研究和利用与它的量一样的稀少，人们对铟的重视是与世界工业发展同步的。随着工业的快速发展，铟的应用除传统的半导体、无线电、焊料、粘合剂和密封合金、机电合金等领域外，其用途正在快速发展。目前，铟在新半导体合金、太阳能电池、光纤通讯、原子能、航天技术、计算机、电视机以及防腐等方面都得到广泛的应用，并且，新技术、新用途还在不断地被开发和研制出来。

随着铟的用途的快速拓展，全世界铟的产量也在直线上升，1924年全世界产铟仅1kg，到了1980年，铟产量达到了45.5t，1990年达133t，1995年为197t，1998年为215t，1999年为235t，2000年超过了300t。中国既是世界铟资源大国，也是世界产铟大国，从1954年开始从多金属矿石中回收铟，至1990年产量达11t，1997年为35t，1998年为48t，1999年为60t，2000年有6家冶炼厂生产铟，全年铟产量达到了115t。国内铟的消费量不足2t，深加工能力非常薄弱。随着产量的增加和急功近利的影响，中国成了铟出口大国，1998年出口23.737 t，1999年出口41.92 t，2000年出口50 t，致使国际铟金属价格从90年代初的近40万美元/t，至2000年初锐降至60万元人民币/t，最近两年铟价格的下降仍在继续。这种贵重战略性金属的廉价出口引发了工业发达国家对铟的大量囤积。

由于铟的特殊物理性能，其应用范围正在快速扩大，特别是近10年来，许多新技术、新领域的发展对铟的需求量在不断增加。归纳起来，目前铟主要应用于以下方面：

（1）低熔点铟合金材料领域 铟低熔点合金具有良好的机械性能，防腐蚀，高导，常用作低电阻接点材料、低压冷焊剂等方面。铟的二元或三元低熔点合金具有较高的高温抗拉强度和抗疲劳强度，铟合金焊料比铅-锡及金-锡焊料更高级。由于铟材料在低温下具有良好的延展性，用于登月舱，着陆时的可靠性大大加强，不脆化、不开裂。目前铟合金的类型也在不断增加。

（2）半导体领域 铟在半导体领域的应用最早最广，可作为半导体锗及晶体管、电子管的掺合剂、接触剂和焊料。铟常用来生产锑化铟、磷化铟、砷化铟等半导体材料，研究和应用最早的是锑化铟，目前最有前景的是磷化铟，在通讯激光光源、太阳能电池等方面展现了可喜的前景。锑化铟和砷化铟主要用于红外探测、光磁器件及太阳能转换器等方面。

（3）硒铟铜多晶薄膜太阳能电池 该项技术是在20世纪80年代开发成功的，具有热转换率高，成本低廉，性能优越和生产工艺简单的特点。

（4）原子能领域 铟能够敏感地感测中子辐射，因此原子能工业中用于监控材料，其用量之大，与电子工业相当。

（5）防腐蚀领域 铟具有很好的防腐蚀性能是由日本三井金属矿业公司在研究减少防腐剂中水银的用量时发现的。现在日本所有的电池生产厂家利用铟彻底解决了腐蚀问题。电池中使用的锌粉腐蚀产生氢气，降低电池性能和寿命。原来用于防腐的水银产生无法处理的环境污染。1984年日本开始研究用铟替代水银，1992年实现了电池无水银化，为铟开辟了新的用途。据刘世友（2001）资料，在此新用途中，铟的添加量为100×10-6，日本在此项应用中，1992年消费铟2 t，1993年和1994年各消费铟3 t，此后逐年上升。

（6）光纤通讯市场的应用 磷化铟现已用于光纤通讯领域，主要用作生产半导体铟-镓-砷化物-磷化物的衬底，以提高光纤性能和稳定性。

（7）电视显像管电子q 在显像管电子q生产中，以铟代替钪，一方面降低成本，同时有利于大功率输出，延长寿命。

（8）铟锡氧化物（ITO）方面的应用 ITO可见光透过率>95%，紫外线吸收率>70%，对微波衰减率>85%，导电和加工性能良好，耐磨，耐化学腐蚀，因此其用途极为广泛。

ITO是目前铟消费的最大市场。日本是全世界铟的最大消费国，占全世界铟消费量的70%以上，1995年的数字表明，当年日本共消费铟92t，其中52t用于ITO。ITO主要用于薄膜晶体管（TFT）、液晶显示器（LCD）及等离子显示器的生产，传统CRT显示器的阴极射线管也需要数量可观的铟，ITO在这方面的应用目前还没有可替代品。

铟在其他方面还有很多用途。例如，由于铟具有强抗腐蚀性及对光的强反射能力，用于制作船舰的反射镜，既可保持长久光亮，又能抵抗海水侵蚀；利用铟的低熔点特性制成特殊合金，用于消防系统的断路保护装置及自动控制装置。另外，铟用作耐磨轴承、牙科合金、钢铁和有色金属的防腐装饰材料及传统首饰等。ITO还用于建筑玻璃、车辆玻璃等的去雾剂和除霜剂等。

2000年以前，全世界铟的需求量以每年4%～5%的速度增长，2000年至2001年，增长速度已达10%～15%。据估计，未来几年，随着个人计算机的进一步普及，尤其是不远的将来大屏幕液晶及等离子电视进入千家万户，铟的需求量将飞速增长。因此，做好铟资源的勘查和研究、加强铟应用技术的研究及铟的储备是保证在不远的将来有备无患的关键。

三、铟资源的研究现状综述

世界各国学者对铟元素的研究已进行了半个多世纪，在两个领域作出了重大贡献，其一为铟的地球化学性质、铟在地球各类岩石和矿物及陨石中的含量、铟的富集成矿，全世界已有一大批（富）铟矿床被发现；其二为铟元素的应用，目前铟大量用于无线电、航天技术、高性能合金材料研制等新用途中，铟的需求量也在不断增加，这又反过来促进了铟资源的研究。所以从20世纪50年代开始至今，一些发达国家对铟成矿学的研究从未停止，已取得了巨大进展，并且有越来越重视的趋势。

对铟元素的大量研究开始于20世纪50年代。这一时期的研究者主要是西方学者，研究重点为铟元素的地球化学性质（Shaw，1952，1957；Fleischer et al.，1955），In-In3S2的热动力学的研究（Thompson et al.，1954）、侵入岩岩石及矿物中铟的研究（Wager et al.，1958）、硫化物中包括铟在内的微量元素的研究（Fleischer，1955）等，可以说是这一时期的代表。这些研究大致厘定了铟在各类岩石中的分布，为后来对铟的研究奠定了基础。

20世纪60～70年代，苏联学者将铟的研究推向高潮，他们详细研究了前苏联境内铟在不同岩石和不同矿床中的分布，发现了一批富铟矿床，而且在铟的地球化学方面提出“地球化学星”的概念（Иванов，1963）并作了一些铟的富集与Eh值及温度关系的实验（Иванов，1966）；发现矿石中含锡越高，硫化物中铟含量越高，铟的富集与高温成矿条件有关；对不同时代岩石和矿床中铟的研究发现，从老到新，铟含量有所升高；出版了《分散元素矿床》一书（Ivanov et al.，1977）；不少学者将铟与其它分散元素及成矿主元素如Zn、Fe等结合来探索矿床成因及综合利用，认为硫化物矿床中的In对矿床成因有指示意义并具有工业综合利用价值（Beus et al.，1960；Ganeev et al，1961；Иванов，1966；Ivanov，1968；Shtereberg et al.，1967）。这一时期其他西方国家的学者也作了不少研究工作，如Boorman等（1967）对Mount Pleasant锡矿中铟的研究、Caley等（1967）对墨西哥西部锡矿中铟的研究等，Chakrabarti（1967）的研究就将硫化物矿床中的微量元素与成矿联系起来，而另一些西方学者更进一步研究了铟在陨石、不同岩石中的含量。

80～90年代，苏联学者继续加强对铟的研究，随之一些富铟矿床相继又被发现（戈涅弗楚克，1991）。Greta（1980）对保加利亚7个煤矿中铟的研究有独到之处，研究发现，煤中含铟很高，部分煤样含铟（20～167）×10-6，个别样品含铟大于1000×10-6，区内多金属矿床含锡富铟。在瑞典、法国、加拿大、美国都先后发现了铟矿床或铟矿体的报道（Johan，1988；Marao et al.，1992；Kieft et al.，1990）。这一时期日本学者对铟富集成矿的研究取得了巨大进展，在苗木、鹿儿岛、丰羽、Toyoha、Nakakoshi等地都发现了铟矿体和矿床，使日本的铟资源跃居世界前列（村尾智等，1990；Murao Satoshi et al.，1991；Marao et al.，1992；太田英顺，1993；Tsushima et al.，1999），Nakakoshi矿床闪锌矿和含Cu-Fe-Zn-Sn-S的硫盐类矿物含铟1.8%～16.3%，矿石含铟0.02%，构成典型的铟矿床（Tsushima et al.，1999）。同时，国外学者对铟成矿作用的研究明显加强，相继进行了铟存在形式的研究（Johan，1988）、含铟矿物合成试验研究（Raudsepp et al.，1987）、玄武岩、硫化物和地幔中铟和锡关系的研究（Yi Wen et al.，1995）等。随着研究的深入，一些新的铟矿物也被发现，到1980年为止，全世界共发现铟矿物5种，近20年中又发现了3种，还有三种未定名的铟矿物，使铟矿物数量增至11种。

20世纪70年代，以前我国学者对铟的研究较少，仅见到为数不多的文献中有少量铟的资料，并被后来的研究证实铟含量的可靠性存在一些问题。80 年代以来，国内对铟元素研究开始增多，但研究的主要对象为锡铜铅锌硫化物矿床，研究的方法主要是矿石中多种微量元素的综合研究，虽然每一位学者都要讨论铟元素的综合利用价值，但没有针对铟富集与成矿机理的专门研究，没有把铟作为一个矿种加以研究。在这期间，涂光炽等（1984）对我国三十多个层控铅锌矿床的研究，童潜明（1984）对湖南10多个铅锌矿床的研究，国外如 Pankratiev 等（1981）对乌兹别克斯坦共和国产于沉积岩和火山岩中的层状铅锌矿床中微量元素的研究，叶庆同（1982）对银山、凡口、东坡、桃林四个矿床闪锌矿成分的研究及Song Xuexin（1984）对广东凡口铅锌矿床微量元素的研究等，展示出了我国一些铅锌矿床中铟等微量元素的含量特点。涂光炽等（1993）在《中国矿床》上册“中国的铅锌矿床”一章中系统地总结和论述了包括我国几乎所有类型铅锌矿床中铟的含量特征，除同生沉积、后期改造型矿床外，矽卡岩型、岩浆热液型铅锌矿床闪锌矿中铟等微量元素在上述类型铅锌矿床中的分布特点。章振根等（1981）、李锡林等（1981）、黄明智等（1988）对广西大厂矿田分散元素进行了综合研究，指出大厂矿田的铟是有利用价值的分散元素之一。Zhang Qian（1987）在对国内外60多个铅锌矿床微量元素的研究和调研，发现除一些含锡的铅锌矿床外，不含锡的矿床含铟都很低，大部分改造成因及同生沉积成因的铅锌矿床，铟没有太大的工业利用价值，同时，将包括 In在内的分散元素的某些特征直接与矿床成因联系起来，制作的图表示踪模式，对几乎所有的铅锌硫化物矿床，都可判断其改造、同生沉积与中高温热液成因。刘英俊等（1984）对铟元素地球化学的研究，肯定了铟在热液作用的沉淀阶段大量进入四面体晶格配位的硫化物中，具有这种晶格配位的闪锌矿在硫化物矿床中量大面广，因而是富集铟的最佳矿物，这一成果从晶体结构方面阐明了铟大量进入闪锌矿的机理。但从绝大多数铅锌矿床中闪锌矿并不富铟的现象来看，铟进入闪锌矿是有条件的。

中国地质矿产信息研究院（1993）主编的《中国矿产》一书明确提出了铟矿床的概念。涂光炽院士明确提出了分散元素可以形成矿床的理论。随着未来我国对铟需求的增长，国家对铟资源的研究与利用已引起重视，铟富集成矿的一些问题已有了初步认识。

露笑 科技 最近有点火啊。

在老师们骂他是骗子、“露笑 科技 把人整笑了”后，露笑 科技 也迎来大跌，跌了20%左右。

股吧、雪球众人都各持己见，论战不休。

但是并没有业内人士出来说道说道这个，这就有点神奇了。

行外看热闹，非专业人士说的东西，大家要有一些判断。

现代科学的发展进步，其实已经到了普通人很难理解的程度了，不信你看看下面这个“标准模型”的公式：

要是你不懂这个标准模型的话，第三代半导体，你也就是连入门都说不上了。

不知道老师们懂不懂这个啊。

01

首先简介一下第三代半导体

1. 导体和半导体

量子力学认为，组成物质的原子是由原子核和电子组成的，电子以电子轨道的方式在核外运动。

原子和原子组成物体时，会有很多相同的电子混在一起，这个相混的过程就是化学反应，形成化学键，就产生了新分子。

但是两个相同的电子没法呆在一个轨道上，为了让这些电子不在一个轨道上打架，于是很多轨道就再分裂出好几个轨道。

可是这么多轨道，一不小心挨得近了，就会挤在一起，形成宽轨道，这个宽轨道，就叫做能带。

有些宽轨道上，挤满了电子，电子就没法移动，宏观上就表现为绝缘，这个就叫做价带。

而有些款轨道，则空旷的很，电子大把空间自由移动，宏观上就表现为导电，这个就叫做导带。

固体里面充满了价带和导带，价带和导带之间往往是有间隙的，这个间隙就叫做禁带。

导带和价带之间挨得很近，那么电子就可以毫不费力地从价带变更车道到导带上，这就是导体。

如果稍微离得远了点，电子自身就不能跨过禁带，但是如果也不是离得非常远，禁带在5ev内，那么给电子加个额外能量，电子也能跨过禁带，这就是半导体。

假如禁带大于5ev，那基本就歇逼菜了，电子在普通情况下是跨不过去的，这就是绝缘体。

当然，凡事都有例外嘛，如果能量足够大，别说5ev的禁带，就是5000ev的禁带也能一冲而过，这个就叫击穿场强（这个东西很重要，不信继续看下去）。

当然，禁带越宽，击穿场强越高。

击穿场强越高，就越耐草。

2. 第三代半导体

不要被第三代给吓着了，哈哈。

第三代半导体，严谨地来说，叫做宽禁带半导体，也就是禁带宽于现在的硅基半导体。

按照半导体材料能带结构的不同，禁带宽度如果小于2.3ev，那就是窄禁带半导体，代表材料有：GaAs、Si、Ge、InP（有读者可能不了解化学，这几个材料翻译成中文就是：砷化镓、硅、锗、磷化铟）。

如果禁带宽度大于2.3ev，那就叫做宽禁带半导体，代表材料有：GaN、SiC、AlN、AlGaN（中文名：氮化镓、碳化硅、氮化铝、氮化镓铝）。

由前文分析，我们可知，半导体禁带宽度越大，则其电子跃迁到导带需要的能量也就越大。

呵呵，那当然击穿场强也越大了，这意味着材料能承受的温度和电压更加高。

由此可知，宽禁带半导体和集成电路，也就是和逻辑芯片，没有什么太大关系了。

逻辑芯片的核心在于怎么把晶体管做小，也就是制程提高。

而电力电子器件、激光器，则是怎么考虑承受更高的电压、电流、频率、温度，然后有更小的电力损耗，以应用在各种恶劣环境和大功率环境下。

想的是怎么耐草的问题。

所以，宽禁带半导体大展身手的地方，在电力电子器件、激光发生器上。

目前比较有希望的两种材料是碳化硅和氮化镓，其他的长晶很困难。

碳化硅主要用在功率器件上，现在最热的就是用在电动车上，因为带来电力损耗减少，能够提高电动车的续航。

以后在光伏和风电发电中，用上碳化硅的话，也能够提高发电效率，促进度电成本下降。

所以在这么一个政治家推动的电气化时代，其需求是很迫切的。

氮化镓则主要是用于微波器件上，比如5G基站的射频芯片就要用到它，否则效果就比较差。

特别是军方的电磁对抗，更加需要氮化镓，来增加单位微波功率。

在5G时代，氮化镓是不可或缺的。

02

露笑是个大坑吗

国内的话，研究宽禁带半导体主要有3个流派，中科院物理所、中科院上海硅酸盐所、山东大学，最主要的研究方向就是宽禁带半导体衬底的晶体生长。

因为这个行业最源头的，以及最难的，就是衬底片的制造。

就像硅基的半导体，要是没有硅片，那做毛个芯片呢？

这三个流派都是90年代开始就开启研究了，起步时间和国外是差不太多的，读者有兴趣可以自行搜索下他们的论文。

中科院物理所是陈小龙领头，成立产学研转化的企业是天科合达。

这个企业去年撤回了IPO，有些奇怪。

坊间传闻，据说是陈小龙出走了。

天科合达的金主是新疆生产建设兵团，控股方是天富集团，A股的影子股是天富集团控股的天富能源，占了10.66%的股份。

山东大学是徐现刚领头，产学研的企业是山东天岳。

原本的领头人是徐现刚的老师蒋民华院士，遗憾的是这位大佬不幸于2011年逝世，事未竟而身先死，科学真的是烧人的事业啊。

这里向领路的大佬致以崇高的敬意！

山东天岳前段时间参加了上市辅导，相信很快就会跟大家在A股见面。

大家对他的热情也是非常高涨啊，穿透下来只有他股权2%的柘中股份都被资金顶了7个板。

中科院上海硅酸盐所，则是陈之战领头。

陈之战之前在世纪金光干过，后来20年5月份，和露笑 科技 走在了一起。

这个露笑 科技 ，算是最近的股吧热门了。

涨了一倍之后，前几天就出来自媒体的老师们在微信公众号、抖音等平台出来说，这是家蹭热点的骗子公司。

对比大家一定要有自己的判断，要知道这些老师并不是业内人士，很有可能不懂技术，只是翻了一下二手资料。

露笑 科技 曾经追逐热点，投资的锂电池、光伏也都失败了。

但是并不能以此推导出他的管理层就是坏家伙。

露笑 科技 原来的主营业务漆包线，是人都知道的传统行业，竞争激烈，管理层当然也知道这是没有什么前途的。

谋取转型，某种程度上说明管理层是有进取心的。

但转型是困难的，踏足一个未知领域，哪有这么简单。

这个头疼的东西，山西的煤老板们最清楚了。

而做一级投资的都知道，热门行业的好项目，是拼爹的玩意儿，要各种关系、资源的，那个东西是你手上有钱就能投的进去的吗？

但是如果没有投到厉害的公司身上，那大概率是要被有爹的给干死的。

在低潮期捡漏，像高瓴投腾讯、段永平投网易，都是高难度动作，传奇故事，需要天时地利人和来配合，这种机会不仅是少，而且非常难把握。

碳化硅这个东西嘛，以往并不是很热，因为商业化应用的领域没有出来。

陈小龙在媒体采访时就曾经透露到，天科合达在成立后的10多年里未曾盈利，给投资方和团队都带来了非常大的压力。

而美国军方扶持起来的CREE，就算有军方爸爸，但是在2016年的时候也顶不住，想要把企业卖给英飞凌。

而电动车领域里，就在2020年，特别疫情期间，大家还怀疑，补贴退坡之后，会不会就面临死亡了。

当时还有人专门写了《预言一场电动爹大逃杀》来看空呢。

那你们想想，碳化硅器件目前最好的应用场景，在去年都还是这个熊样，谁又会多留意碳化硅呢？

当时的大热门还是功率器件的国产替代，是硅基的IGBT、MOSFET，是斯达半导体、新洁能。

所以20年露笑 科技 找到陈之战，或许和以往的投资，有些不同吧。

国内碳化硅衬底还局限在二极管的应用，芯片质量主要来自于衬底，也因此几乎国内SiC器件都来自国外。

目前碳化硅四寸片，做的比较好的是天科合达、河北同光以及山西烁科等几家企业。

但是六寸量产（每个月稳定出货量在几百片）的厂商，目前还基本没有。

也就是说，三大流派其实还是半斤八两，都还需要突破，否则华为怎么对天科合达和山东天岳都一起投资呢？

当下这个阶段就是，谁能率先突破，谁就会享有先发优势，并在行业景气的助力下，实现超额收益，获得市场的估值溢价。

或许当合肥露笑半导体的碳化硅衬底片出来后，华为也会进来投资一笔呢。

合肥市政府号称最牛风投，人家可不是傻子。

至于说露笑 科技 没有技术积累，这真不知道怎么说，陈之战大哥和他的团队、学生已经研究了20多年了。

很可能是，露笑 科技 的蓝宝石业务部门，19年在给中科钢研代工碳化硅长晶炉的时候，突然发觉这是个有戏的行业，随后才找到了陈之战。

总之，对于露笑 科技 ，大家要有自己的判断，核心点有且只有一个，陈之战团队能不能扎下根来。

最后，做个总结。

君临认为，目前碳化硅的投资，最好的应该是衬底环节，这个环节现在产能不足、壁垒极高。

而衬底的企业，则主要是看已经研究了20多年的国内三大流派旗下企业。

按照中国的科研环境、功率器件企业发展状况来说，其他的团队压根没法分杯羹。

材料技术是积累出来的，烧人烧时间，更加烧钱。

现在行业热了再来开始研发，短时间根本不可能见效。

中科院的两个研究所，山东大学蒋院士的团队，科研的资源肯定是最丰富的，但是人家陈小龙都说压力很大，所以别的团队申请科研基金都不容易。

露笑 科技 说9月份能试生产，年底批量生产，而且是6英寸的，有陈之战在，应该不是讲大话。

一旦衬底片年底真的量产了，那就是国内领先了，以国内资金对 科技 的热度，自然会有神秘的东方估值力量。

宽禁带半导体领域里，全球都还是在懵懵懂懂的阶段，咱们和美国虽然有差距，但也不是这么大。

特别是他的主要应用领域，新能源发电、新能源 汽车 、5G通讯、航空航天、电磁对抗，咱们国家都是最大的应用市场和制造商，特别是光伏、风电、电动车、5G这些大规模民用的领域。

技术的进步还是源自经济利益的驱使，产业的需求对于技术进步的作用是最大的。

所以宽禁带半导体的投资在目前是大有可为，很有可能在我们国家诞生全球龙头，这个想象空间大不大？

至于氮化镓等材料，以及外延、器件设计制造等环节，行业本就是新兴的，肯定也是有大机会的，君临会在后续的跟踪文章中持续输出，带领读者彻底搞定这个领域。

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