“pn结深”是什么意思？

PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多，因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0.5um 这个N型薄层的厚度就叫做结深！

阈值电压:通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压.

结深定义为从硅中表面到扩散层浓度等于称底浓度处之间的距离,一般以微米为单位计量

结深的测量，通常在100mlHF（49%）加几滴HNO3d的混合液中对磨斜角（1°～5°）的样品做化学染色，有时只要HF就够了。如果样品置于强光下照一两分钟，P型区要比n型区染色重。利用Tolansky干涉条纹技术，可精确测量0.5～100μm的结深。

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