第二、000055 方大A B 原来是做玻璃幕墙和建材的，现在进军绿色照明，公司2008年7月8日公告，公司下属企业方大国科公司通过了节能减排与可再生能源”广东省重大科技专项项目-LED日光灯关键制造技术研究与应用示范工程”论证。该项技术填补了国内空白，缩短了与国外先进国家在半导体照明专用芯片上的差距，也为半导体照明灯具国产化奠定了坚实的基础。 去年9月设立了沈阳方大半导体照明公司。截至目前，沈阳方大已完成工商登记，正在进行建设工作，预计年末将完成一期工程主体及配套设施建设。该股目前LED难以贡献利润，但其施工方的背景对以后开展LED业务具有先天的优势，股价曾因LED概念而连拉5个停板，可以长期关注。
第三、002076 雪莱特公司掌握了车用氙气金卤灯（HID）核心技术，将成为盈利主要来源。募资项目达产后，将新增240万只HID灯产能。HID灯有节能、光效高、寿命长、显色性能好等特点，已被Benz全系列、BMW全系列、福特R S Mondeo、Mondeo ST220、三菱Pajero等高车型采用，销量可能大幅增长。在保持主导产品车用氙气金卤灯（HID汽车灯）及配套电子镇流器技术和成本优势同时，在07年一年时间之内完成”陶瓷金卤灯”研发，并在专利上和生产工艺上取得重大突破。 该股是车用LED金卤灯的典范，未来业绩值的期待
第四、600363 联创光电公司以功率型高亮度LED 器件封装和液晶背光源、特种照明、景观照明等应用产品方面形成了一定的实力。但是由于目前的技术限制如：发光半导体的功率、寿命等，日常照明目前还难以推广，半导体照明的市场空间还未有效打开。公司的LED业务发展主要还是受到一定的限制。待以时日，LED日常照明得以推广，LED的需求将发增长，公司将面临巨大的市场机遇。目前主业尚不是LED,而是通信电缆,该公司另人不解的是07年将深圳联创健和的股份转让了出去，而后者目前一家集LED显示屏（LED电子显示屏）、LED灯饰屏、LED招牌屏研发、生产、销售、工程安装、售后服务为一体的专业生产厂家,是创业板准上市企业。
第五、600100 同方股份 公司控股的清芯光电高亮度LED 项目已经实现产业化，2007 年公司量产的高亮度半导体LED 照明芯片发光效率达到了73Lm/W，同时大功率1W 芯片已经批量上市。2007 年公司完成了五条LED 生产线的建设，并已经形成年产大功率蓝光LED 芯片4 亿粒（以14mil 计）的生产能力，同时二期15条LED 生产线建设工作也正在进行。清芯光电具有高亮度LED 自主知识产权的MOCVD 核心装备设计与制造能力。公司高亮度LED 项目产业化技术达到世界先进水平。公司的品牌过硬，生产的高亮度LED半导体芯片被指定为国家奥运会体育场馆专用LED芯片。 曾经是一只奥运LED概念股，但同方规模很大，LED只是他的一个发展方向，具体做的如何，还要拭目以待。 目前除华微电子外，其余的尚处于概念阶段，虽然买股票是买未来，但投资还是须谨慎。
六,600203 福日电子
公司与中国科学院半导体研究所共同组建福建福日科光电子公司，新公司将投资高亮度芯片与发光器件项目。目前公司已经成为市场中为数不多的LED产业龙头，而LED半导体照明技术的就是典型的节能环保产业，LED具有工作电压低，耗电量小，发光效率高、寿命长等优点，被誉为21世纪的绿色照明产品。
第七,600703 三安电子 三安电子主要从事LED外延片及芯片的研究、生产和销售，目前已建成全国规模最大、品质最优、技术最先进的全色系超高亮度LED（红、橙、黄、蓝、绿）产业化生产基地，主流产品为全色系超高亮度LED芯片，各项性能指标均名列国内领先、国际先进水平，蓝、绿光ITO（氧化铟锡）芯片的性能指标已接近国际最高指标，是国内最大、最具潜力的LED厂商，具有较强竞争力和盈利能力，公司是LED行业的上生产企业，拥有14台国际先进的MOCVD及配套设备，具备年产外延片45万片、芯片150亿枚的生产能力，去年实现净利润8419。1304万元。 值得关注的是，三安集团作出业绩承诺：保证重组后，公司2008年度在资产交割日后的月均实现的归属于上市公司普通股股东的净利润（均指扣除非经常性损益后的净利润）不低于800万元（假设资产交割日为2008年1月1日，则2008全年实现净利润不低于9,708.07万元），2009年实现的归属于上市公司普通股股东的净利润不低于12,181.47万元，2010年实现的归属于上市公司普通股股东的净利润不低于15,000万元。重组完成后，公司2008年、2009年、2010年每年实现的归属于上市公司普通股股东的净利润低于上述承诺数，福建三安集团有限公司将用现金向公司补足上述差额部分。因此我们有充分的理由看好S*ST天颐的未来。
第八 000701 厦门信达
暂停上市一年后，经过股改和资产重组，ST天颐（600703）于今日在上交所恢复上市，由此，三安电子成为首家成功借壳上市的厦门企业。复牌后，ST天颐（600703）股价当即暴涨，最高涨至15.08元，收盘报13.89元，涨幅高达169.19％。根据ST天颐（600703）此前公布的股改方案，其股改与非公开发行股份购买资产实施重大资产重组及业绩承诺相结合，通过发行114,945,392股份购买控股股东福建三安集团有限公司控股子公司厦门三安电子有限公司LED类经营性资产实施公司资产重组。而由于厦门信达（000701）持有三安电子10％的股份，三安电子目前又已经成为ST天颐（600703）的第一大股东，因而也就相当于厦门信达（000701）间接持有ST天颐（600703）的股权。那么，随着ST天颐（600703）的成功恢复上市并实现股价的暴涨，厦门信达也必将分享到实实在在的股权增值收益。因此，相信在ST天颐（600703）的示范效应下，厦门信达（000701）未来将掀起一波凌厉的上升浪！
第九 600261 浙江阳光
浙江阳光（600261）:公司是中国最大的节能灯生产和出口基地之一，国家级高新技术企业。公司生产规模为,年产一体化电子灯1亿只，紧凑型稀土节能荧光灯管7000万支、T5大功率节能荧光灯及配套灯具300万套、T5灯管1500万只，家居灯60万套，户外灯2万套（杆）。近几年来，公司共开发新产品、新材料200多项，获准专利66项，为全国首批专利试点企业。公司自行研制、开发的T5超细直管型荧光灯及配套灯具，填补国内空白，被国家计委列为高技术产业化示范工程项目。公司的产品已获得了美国UL、FCC、ENERGY STAR、欧洲EMC、CE、GS、TUV、VDE、加拿大CSA、巴西PROCEL、北欧五国等近40项国际标准认证，产品远销欧美、东南亚、中东、港澳台等40多个国家和地区。公司为加强与国际500强的合作，现已在公司总部所在地征地800亩，创建阳光科技工业园区。目前，公司已与荷兰飞利浦、韩国碧陆斯、日本东芝等国际著名企业洽谈合作意向，在阳光科技园区建立智能化控制器、CCFL 背景光源总成、钠米稀土等高新技术生产基地。公司还将投资2亿元设立福建阳光节能照明有限公司，在福建省漳州市龙池开发区征地300亩，建设一个新的节能照明产品的新生产基地，主要用于生产环保长效一体化电子节能灯及LED照明产品，计划在2011年底达到2亿只高环保长效一体化电子节能灯的产能，进一步巩固公司在行业中的龙头地位。
是否可以解决您的问题？
日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。
事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。
如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
东莞市中稼半导体 科技 有限公司
东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
东莞市中晶半导体 科技 有限公司
东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。
苏州纳维 科技 有限公司
苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。
据官网介绍，目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。
镓特半导体 科技 （上海）有限公司
镓特半导体 科技 （上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。
2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
聚力成半导体（重庆）有限公司
聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
成都海威华芯 科技 有限公司
成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。
近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。
江苏能华微电子 科技 发展有限公司
江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。
能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。
英诺赛科（珠海） 科技 有限公司
英诺赛科（珠海） 科技 有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
大连芯冠 科技 有限公司
大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。
官网介绍称，芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。
江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。
根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
关于集邦咨询（TrendForce）
集邦咨询(TrendForce)是一家横跨存储、集成电路与半导体、光电显示、LED、新能源、智能终端、5G与通讯网络、 汽车 电子和人工智能等领域的全球高 科技 产业研究机构。公司在行业研究、政府产业发展规划、项目评估与可行性分析、企业咨询与战略规划、媒体营销等方面积累了多年的丰富经验，是政企客户在高 科技 领域进行产业分析、规划评估、顾问咨询、品牌宣传的最佳合作伙伴。
研究报告咨询： 0755-82838930-2101
商务合作请加微信： izziezeng
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）