华为迎来“芯突破”建立首家晶圆厂,计划2022年投产
华为迎来“芯突破”建立首家晶圆厂,计划2022年投产,华为如今已经深刻认识到了芯片制造技术的重要性,所以在芯片设计以及 *** 作系统后,为了实现软硬件闭环,从2019年开始不断布局芯片制造技术。
华为迎来“芯突破”建立首家晶圆厂,计划2022年投产1华为的库存芯片还有多少,恐怕外界并不知道确切数字,但不可否认的是,相关限制因素的影响确实存在。最新消息称,华为首家晶圆工厂选址在湖北武汉,计划2022年投产。知情人士对媒体披露,工厂初期规划生产光通信芯片和模块产品,以实现自给自足。
华为迎来“芯突破”
华为如今已经深刻认识到了芯片制造技术的重要性,所以在芯片设计以及 *** 作系统后,为了实现软硬件闭环,从2019年开始不断布局芯片制造技术。目前华为已经将手机终端和通信设备中的大部分芯片都替换成了“国产芯”,下一步就是达成掌握芯片制造技术的终极目标。
据报道,华为迎来了“芯突破”,将在湖北武汉市建立其第一家晶圆厂,并且预计从2020年开始分阶段投产。当然目前该消息来源于业内人士的透露,并没有官方消息证实,但至少有消息传出,就已经是好消息了。
华为此前也表示过,即使没有了手机业务,也能够活得很好。但显然我们每个人,都不希望这一天真的到来,而华为在任正非的带领下,也早已放弃幻想,潜心于芯片基础产业的建设。我们都相信,“国产芯”始终会有实现独立自主的一天,而且这一天不会太远了,您说呢?
武汉华为晶圆厂,做光通信芯片
知情人士对媒体披露,工厂初期规划生产光通信芯片和模块产品,以实现自给自足。有文章称,华为海思是国内目前唯一能够开发相干光DSP芯片组的企业。
值得关注的是,光通信芯片不同于手机SoC等,工艺制程要求不高,但晶圆加工毕竟是需要巨大投资和技术积累的行业,因此,对于这则消息还应该谨慎看待。有消息爆料华为准备从40nm制程入手,搭设一条40nm制程的生产线。但即便如此,40纳米与距离顶尖的芯片制造工艺仍旧还很遥远。
在前不久,华为(武汉)智能网联汽车产业创新中心揭牌,工作人员称将提供非常强大的GPU(图形处理器)或者是NPU(嵌入式神经网络处理器)的一些仿真算力,或许也是采用了自研的芯片。
目前世界上同时具备先进芯片研发能力和晶圆工厂的企业凤毛麟角,熟知的包括Intel、三星、SK海力士、美光等。
据称华为武汉研发力量将近1万人,主要项目包括光通信设备、海思芯片、自动驾驶激光雷达等。另外早在2019年,武汉市国土资源和规划局公示了华为技术有限公司武汉研发生产项目(二期)A地块的海思光工厂项目规划设计方案,总投资18亿人民币,还不清楚该方案和上文所谓的晶圆厂之间是何种关系。
华为迎来“芯突破”建立首家晶圆厂,计划2022年投产2关于华为晶圆厂的消息外界传闻很多,大都离不开“缺芯”和“卡脖子”两大主题。有人称该晶圆厂可以解决华为缺芯的问题,并且高调表示华为自己也可以生产芯片,不担心海外的卡脖子禁令。
结合此前华为消费者业务CEO余承东的发言:“华为在半导体方面将全方位扎根,突破物理学材料学的基础研究和精密制造;在终端器件方面正大力加大材料与核心技术的投入,实现新材料+新工艺紧密联动,突破制约创新的瓶颈。”
华为并非没有自建晶圆厂的可能,虽然光通信芯片不同于手机SoC等,工艺制程要求不高,但晶圆加工毕竟是需要巨大投资和技术积累的行业,对于这则消息还应该谨慎看待。其次,光通信芯片包含多个元器件种类,如激光器芯片、调制器芯片、耦合器芯片、分束器芯片、波分复用器芯片、探测器芯片等。这些芯片/器件集成后,再加入外围电路形成一个光通信模块,被广泛应用于路由器、基站、传输系统、接入网等光网络建设中。所以华为的这个晶圆厂,生产加工的光芯片和模块,主要还是用在光网络建设中,和华为现在急缺的手机SoC芯片区别很大。
目前,全球范围内兼具先进芯片研发能力和晶圆制造工厂的企业凤毛麟角,人们熟知的企业多以外企为主,包括Intel、三星、SK海力士、美光等。华为想要实现芯片自给自足还是比较困难的,在未来或许有可能实现。
任正非最新讲话引深思
值得关注的'是,近日华为心声社区公开《任总与2020年金牌员工代表座谈会上的讲话》,华为创始人兼CEO任正非在与多位金牌员工代表交流中,就人才工作指导、科学技术研发、供应链、国产化以及国际环境等话题进行了对话。
有来自2012实验室的员工问任正非,请问公司是如何定位科学家的?任正非表示,科学家、技术发明家,还有工程专家其实没有严格的界限,这是一个概念性的问题。大家不要去背上这个包袱,去想哪些是科学家,哪些是技术专家……我们都是概念性的泛指,对员工没有进行区分。社会上可能比较严格,要对应社会给他们的地位,要享受国家待遇,他们有严格的标准。我们是自己给自己“煮饭”,只是分饭的代码?不要太计较,也不要太横向比较,只是紧紧盯着自己的奋斗目标和周边的协作需求队伍。
来自平板与PC PDU的员工提问,由于美国制裁,我们的业务非常困难,未来我们是不是要坚定国产化的方向往下走?任正非对此表示,中国是全球的一部分,所以坚持全球化也就包含了国产化,,我们不可能走向封闭,必须走向开放。我们仍然要坚持向美国学习,它百年积累,灵活的机制,在科学、技术上还是比我们强很多。科学是真理,只有一个答案,科教是比较单纯的,这方面美国是强大的,它百年的基础是比较牢实的。我们不能因美国打压我们,就不要认为它不是老师,不向美国学习,这样会走向自闭。
中韩通讯社 韩国金禅子
三星电子8月30日表示,建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示,“以量产D-RAM产品为起点,平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线,成为高 科技 综合生产工厂,为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求,三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线,并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后,开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后,预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人,包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内,共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工,占地289万平方米,2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示,这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度,是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
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近期,LED龙头三安光电的重大投资项目陆续投产。
6月 23日,总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产 ,这是国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。同时,也是国内LED芯片龙头三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。
根据2020年6月公告,湖南三安半导体项目投资总额为160亿元,主要建设碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目,项目垂直整合了自衬底材料-外延生长-晶圆制造-到封装测试等环节,可实现月产3万片6寸碳化硅晶圆。
据悉, 湖南三安半导体基地全部建成达产后,预计将实现年销售额120亿元 ,年贡献税收17亿元,将促进第三代半导体行业加快发展,带动周边配套产业近万个就业机会。
湖北三安项目近期正式投产
湖北三安项目总投资120亿元,计划建设研发生产基地,生产Mini/Micro LED氮化镓芯片、Mini/ Micro LED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列。
2021年2月3日,项目一期主体建筑成功封顶;3月16日,项目变电站如期送电; 湖北三安光电项目Micro LED和Mini LED芯片生产线已于2021年4月16日开始试产,并 将于近期正式投产。
该项目投资120亿元,于2019年7月29日开工建设。当时的公告称,湖北三安光电项目争取48个月内实现达产,其中一期投资在24个月内完成项目建设并投产,预计年实现销售收入72亿元、利润总额17.84亿元、税收9.3亿元。
据湖北日报报道,鄂州葛店开发区招商局局长祝晓荣表示,三安光电生产的关键组件将供给光谷的天马微电子、华星光电等光电子信息企业。另外,作为三星的重要供应商之一,三安光电也将继续为三星供应Mini/Micro LED芯片。
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