第七届国际第三代半导体论坛将于12月6日开幕

2021年12月6-8日，以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2021）将在深圳召开。

本届论有百余位程序委员会专家提供智力支持，将全面聚焦前沿技术及行业热点，力邀国内外知名专家、领军企业、行业精英代表深度参与，把脉产业商机，共促产业 健康 有序发展。

当前，国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并进入产业化快速发展阶段，在新能源 汽车 、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了应用突破。

未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。5G、AI、物联网、大数据等市场提速，新能源 汽车 、PD快充、5G和新型显示时代的来临，应用市场对第三代半导体的需求已经开始呈现出前所未有的增长趋势。

据论坛组委会透露，面对新一轮 科技 革命与产业变革创造的 历史 性机遇，本届论坛特别邀请到中国工程院院士、清华大学电子工程系罗毅教授，中科院院士、南昌大学副校长、论坛程序委员会联合主席江风益教授，中国工程院院士、全球能源互联网研究院院长汤广福，厦门大学校长、论坛程序委员会主席张荣教授，诺贝尔物理学奖得主、美国加州大学圣塔芭芭拉分校材料系教授中村修二（ShujiNakamura），瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling，博世苏州 汽车 部件总经理、博世 汽车 电子中国区总裁Georges Andary，京东方 科技 集团显示与传感器件研究院院长、半导体技术首席科学家袁广才等来自第三代半导体领域的代表性专家们与业界同仁共话第三代半导体的发展和机遇。

除了开幕大会、本届论坛设有功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、电力电子标准与检测研讨会等超30场次论坛活动。聚焦第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展；第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的产业发展战略与机遇；第三代半导体材料相关技术与新一代信息技术、新能源 汽车 、新一代通用电源、高端装备等产业的相互促进与深度融合；产业链、供应链多元化与核心技术攻关等。

国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛同时同地举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。

论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。目前，论坛同期论文已开启征集，论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。

2021先进半导体技术应用创新展（CASTAS 2021）也同时招展中，欢迎业界人士的参与其中，对接资源，洽谈商机，共商产业发展大计。

这个单位是复旦大学与华大半导体联合创办的单位，或者可以叫课题组，是专门的研发单位。这个单位是招聘的，但是目前来说只招聘博士以上学历，而且要求很高，不过待遇也很好。

以下是参考资料。是今年一月发布的。

为加快实施创新驱动发展战略，由复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心于2020年2月被上海市科委批准建立。中心通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带与超宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代宽禁带半导体功率电子的广泛应用。工程中心将致力创建具备国际领先水平的宽禁带材料缺陷研究、器件制造工艺开发、元器件设计、模块封装以及可靠性测试、先进电力电子技术创新开放平台及高层次工程技术型人才培养中心和产业化辐射中心。中心成立以来，已承担多项宽禁带功率器件和模块重大项目，包括和龙头企业研发碳化硅器件的特色新工艺、与国家重点实验室开发超高压碳化硅器件和封装、参与多项省市科技重大专项等。中心正在积极建设宽禁带半导体工艺研发创新平台（复旦大学宁波研究院宽禁带材料与器件研究所），和国际知名企业共建创新中心和研究院。中心现有教授/研究员10人，其中特聘教授5人，副教授/青年研究员15人，超级博士后2人。中心招收宽禁带半导体物理与器件、半导体材料与集成电路、微纳器件系统集成、器件及可靠性测试、电力电子技术等方向的物理电子学硕士、博士研究生。

中心负责人张清纯教授，现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，复旦大学工程与应用技术研究院宽禁带半导体与超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。

因研究工作需要，针对以下方向招聘博士后数名：

1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术

2)宽带半导体功率器件设计、先进制造工艺及器件可靠性评价

3)超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究

4)高频高功率先进封装技术与可靠性测试

职位要求。

1)已获得或即将获得微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程等相关专业的博士学位，具有扎实的理论基础和较强动手实践能力，至少具备相关领域一项相关研发经验

2)能独立开展研究工作，并具有优秀的团队合作精神，尤其是从事交叉性学科研究的能力，且具有优秀的动手能力和主动性；

3)具有良好的英语读写能力，可以独立撰写研究论文，具有功率半导体领域出色研发经历将获得优先考虑

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