电子为什么从更负的导带跃迁到更正的导带

电子带负电，正负相吸。拓展：跃迁类型第一种类型：价带顶和导带底位于相同的k点，直接带隙半导体电子吸收光子从价带顶跃迁到导带底，满足能量守恒和准栋梁守恒的选样定则，即 在讨论本征光吸收时，光子动量可省（差了个数量级），跃迁选择定则可简写成，跃迁过程中波矢不变，能带图上，初末态几乎在同一条直线上，也称竖直跃迁第二种类型：价带顶和导带底位于不同的k点，间接带隙半导体非竖直跃迁，单纯吸收光子不能使电子从价带顶跃迁到导带底，必须在吸收光子的同时伴随吸收或者发射一个声子：电子能量差=光子能量声子能量声子能量较小，近似：电子能量差=光子能量而准动量守恒的跃迁选择定则为： 为声子的准动量，它与能带中电子的准动量相仿，可略去光子动量：公式理解：电子跃迁过程中，光子主要提供跃迁所需的能量，二声子则住哟啊提供给跃迁所需的准动量。光吸收的逆反应：导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子，称为电子-空穴对的复合发光。通常来说，电子集中在导带底，空穴集中在价带顶发射光子的能量基本等于带隙宽度。吸收相同的光子，直接带隙半导体发光几率远大于简介带隙半导体，利用电子-空穴复合发光的器件主要时直接半导体，发光颜色取决与半导体的带隙大小。

这个问题是半导体物理中的重要问题，而且也与光电器件有关。

直接迁移型半导体即直接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶都在Brillouin区中的同一点（即波矢相同）。半导体价带顶的电子获得足够的能量之后，可直接跃迁到导带底，并产生电子-空穴对；相反，导电电子与价带空穴复合时，即可把能量完全以光的形式释放出来。发光器件需要采用这种半导体。GaAs即属于这种半导体。

间接迁移型半导体即间接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶不在Brillouin区中的同一点（即波矢不相同）。价带顶的电子获得足够的能量之后，还需要有其它粒子（如声子）的帮助，才能跃迁到导带底；同时，导电电子与价带空穴复合时，大部分能量都将以热能的形式释放给晶格，故不能发光。这种半导体不能制造发光器件，但是可用来制作光检测器件——光电二极管。Si、Ge即属于这种半导体。

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