2、作用:不但可以直接利用半导体现有200mm晶圆制程,达到高集成度,据以创造经济规模,还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM大厂的投入,SiGe技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdownvoltage)过低等问题获得改善而日趋实用。
3、SiGe既拥有硅工艺的集成度、良率和成本优势,又具备第3到第5类半导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感,就可以采用SiGe半导体技术集成高质量无源部件。
氧化铟分子式:InO 性质:灰色粉末.不溶于水,易溶于酸.由三氧化二铟热分解制取.为制取铟化合物原料,也用作催化剂. 对皮肤具有轻度刺激性氯化铟分子式:InCl3 性质:InCl3 即三氯化铟.白色状结晶.密度3.46.熔点586℃,300℃开始升华.600℃蒸发.极易溶于水,稍溶于乙醇和乙醚.在空气中强烈吸湿.将金属铟与盐酸(滴入少量H2O2)反应,浓缩溶液时可得InCl3·4H2O,为无色结晶.56℃溶于自身的结晶水.在空气中加热将失去HCl,最终产物为In2O3而不能得无水的InCl3.无水的InCl3通常用金属铟和干燥的氯气在150~300℃直接反应制得;或用三氧化二铟(In2O3)和硫酰氯(SOCl2)反应,三氯化铟以纯品升华出来.三氯化铟稀水溶液喷撒在饲料上用作羊毛生长促进剂.也还有一氯化铟(InCl)和二氯化铟存在,前者由金属铟与氯化汞(HgCl2)在325℃反应制得,后者用三氯化铟与金属铟反应制得.二者不稳定,遇水分解. 无毒欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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