半导体工艺涂完胶为什么不能立马显影

半导体工艺涂完胶不能立马显影是因为需要曝光过程。根据查询相关公开信息显示，光刻工艺是半导体元件制作中的常用工艺，通过在半导体基片(如硅晶圆)表面涂敷一定厚度的光刻胶，然后进行曝光，才能显影，以对基片表面的材料做图形化处理。

蚀刻：蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻的原理是氧化还原反应中的置换反应：2AgNo3+Cu=Cu(No3)*2+2Ag。利用蚀刻液与铜层反应,蚀去线路板上不需要的铜,得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。

曝光：经光源作用将原始底片上的图像转移到感光底板（即PCB）上。

蚀刻曝光就是通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

显影：显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像显现的一个过程。通过碱液作用，将未发生光聚合反应之感光材料部分冲掉。显影包括正显影和反转显影。

扩展资料：

英文中的蚀刻一词“Etching”源自于古日耳曼语“吃”，是指利用带有腐蚀性的酸将图案“啃”入坚硬的金属表面。蚀刻被广泛运用于奢侈品，特别是像武器这样本身就是坚久耐用的物品。该技术能在金属表面创造出具有高度装饰性的浅浮雕，而又不影响其结构的完整性。

酸能利用化学反应溶解金属。借此在金属表面蚀刻出图案，便可以替代劳动密集型且技术要求更高的手工雕刻。法国学者耶罕·勒贝格在1531年写下了酸浸蚀铁的配方。他从水与醋的混合物中提炼出出氯化铵、普通的明矾和硫酸亚铁。基本原则大体是：金属被蚀刻时先要彻底清洗，之后图上一层耐酸物质。

这被称作为“抗蚀层”。在蜡层中刻出图案，使底下的金属部分显露出来。制备好的金属材料被浸渍在盐酸或者硝酸溶液中，直至其暴露的区域被刻蚀到所需的深度。之后将抗蚀层清除，就可展现出蚀刻的成品样子。烫金或者发黑都可以被用于突出图案。金属蚀刻制品上的图案往往比传统雕刻更方便而代价更少。

显影就是在复印机、打印机中显影就是用带电的色粉使感光鼓上的静电潜像转变成可见的色粉图像的过程。显影包括正显影和反转显影。正显影时，显影色粉所带电荷的极性，与感光鼓表面静电潜像的电荷极性相反。显影时，在感光鼓表面静电潜像是场力的作用下，色粉被吸附在感光鼓上。

静电潜像电位越高的部分，吸附色粉的能力越强；静电潜像电位越低的部分，吸附色粉的能力越弱。对应静电潜像电位（电荷的多少）的不同，其吸附色粉量也就不同。多用在模拟复印机中。反转显影中，感光鼓与色粉电荷极性相同。

显影时，通过感光鼓和显影辊之间的电场作用，碳粉被吸到感光鼓曝光区域。其中曝光部位电位低于显影辊表面电位低于感光鼓未曝光部位电位。多用在数码复合机与激光打印机中。

参考资料1：百度百科-蚀刻

参考资料2：百度百科-显影

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）。

测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。

按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。

此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用。

但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。

但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

扩展资料：

（1）元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。

硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。

（2）无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族。V族与VI族；

VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。

参考资料来源：百度百科-半导体

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