1、用霍尔效应：两端通电，在内部会形成稳定电流，但在半导体的上下表面是没有电位差的；然后在半导体的两个对面的侧，加一个面磁场，这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差（因为内部的载流子在磁场作用下发生了偏转），因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。
2、如果条件允许，你找一个掺杂已知的半导体，然后把他们粘到一起，组成个整体结，分别测两端电流导通情况，如果出现不能导通情况，则说明未知的和已知的相反，如果都导通，则相同。（瞎猜的）
怎样判断霍尔元件是P型还是N型半导体将电路接好后，（有的是开漏极的，需加上拉电阻）
无磁性物体接近的情况下，去量它的预设输出状态。
如果输出高的话就是N型的，输出低的话就是P型的。
或者直接看datasheet，里面都有描述，框图一般都会画出来的。
阐述什么是半导体p-n结以电子为多数载流子的半导体和以空穴为多数载流子的半导体通过冶金等方法结合在一起，结合处就是pn结了
怎么用霍尔法判断N型半导体和P型半导体当Is与Im都为正值时，霍尔电压Vh为正则为p型。为负是n型
P型半导体是什么N 型半导体是什么？型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷；
N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；
在半导体材料矽或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN接面，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN接面上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小 ）
p-n结的p型半导体和n型半导体是接触的还是之间有缝隙？
是直接连线在一起的，分点接触型和面接触型，整流管等大功率的就是面接触，接触面大，可以承受更大功率。
如何判断施主杂质和n型半导体，受主杂质和p型半导体化学元素周期表中3主族元素为受主杂质，5主族为施主杂质。
半导体中受主杂质占主导地位为P型，施主杂质占主导地位为N型
p型半导体和n型半导体的区别 怎样形成的如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或矽的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。
如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或矽）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。这些材料就变成了半导体。因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型半导体。也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”。
怎么使N型半导体变成P型半导体？什么条件下可以使N型半导体变成P型半导体？N型半导体就是导电载流子是电子，P型半导体就是导电载流子是空穴。
N型半导体中之所以是电子导电是因为其在本征半导体基础上进行了施主掺杂（例如在本征Si中掺入5价的磷元素） 而P型半导体中之所以是空穴导电是因为其在本征半导体基础上进行了授主掺杂（例如在本征Si中掺入3价的硼元素） Si为4价
所以假设要想把磷掺杂量为X的N型半导体转为P型当然就是在此N型半导体中掺入大于X量的磷（当然具体掺杂量与工艺及材料有关）
半导体的掺杂等工艺要在超净间中进行，掺杂是半导体工艺中的一步，主要的掺杂方法有离子注入和热扩散
N型半导体和P型半导体的异同P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
在纯净的矽晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电效能就越强。
N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯净的矽晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电效能就越强。
本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成巨集观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多，
【n型半导体】“n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的“施主”杂质.所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能.例如,半导体锗和硅中的五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质.如果在某一半导体的杂质总量中,施主杂质的数量占多数,则这种半导体就是n型半导体.如果在硅单晶中掺入五价元素砷、磷.则在硅原子和砷、磷原子组成共价键之后,磷外层的五个电子中,四个电子组成共价键,多出的一个电子受原子核束缚很小,因此很容易成为自由电子.所以这种半导体中,电子载流子的数目很多,主要kao电子导电,叫做电子半导体,简称n型半导体.\x0d【p型半导体】“p”表示正电的意思.在这种半导体中,参与导电的主要是带正电的空穴,这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质.所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子,产生同数量的空穴,从而改变了半导体的导电性能.例如,半导体锗和硅中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主.如果某一半导体的杂质总量中,受主杂质的数量占多数,则这半导体是p型半导体.如果在单晶硅上掺入三价硼原子,则硼原子与硅原子组成共价键.由于硼原子数目比硅原子要少很多,因此整个晶体结构基本不变,只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替.硼是三价元素,外层只有三个价电子,所以当它与硅原子组成共价键时,就自然形成了一个空穴.这样,掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴,从而使硅单晶中空穴载流子的数目大大增加.这种半导体内几乎没有自由电子,主要kao空穴导电,所以叫做空穴半导体,简称p型半导体.\x0d【p－n结】在一块半导体中,掺入施主杂质,使其中一部分成为n型半导体.其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体,当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时,这两个区域之间的交界层就是p-n结.p-n结很薄,结中电子和和空穴都很少,但在kao近n型一边有带正电荷的离子,kao近p型一边有带负电荷的离子.这是因为,在p型区中空穴的浓度大,在n型区中电子的浓度大,所以把它们结合在一起时,在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动.由于p区有大量可以移动的空穴,n区几乎没有空穴,空穴就要由p区向n区扩散.同样n区有大量的自由电子,p区几乎没有电子,所以电子就要由n区向p区扩散.随着扩散的进行,p区空穴减少,出现了一层带负电的粒子区；n区电子减少,出现了一层带正电的粒子区.结果在p－n结的边界附近形成了一个空间电荷区,p型区一边带负电荷的离子,n型区一边带正电荷的离子,因而在结中形成了很强的局部电场,方向由n区指向p区.当结上加正向电压（即p区加电源正极,n区加电源负极）时,这电场减弱,n区中的电子和p区中的空穴都容易通过,因而电流较大；当外加电压相反时,则这电场增强,只有原n区中的少数空穴和p区中的少数电子能够通过,因而电流很小.因此p－n结具有整流作用.当具有p－n结的半导体受到光照时,其中电子和空穴的数目增多,在结的局部电场作用下,p区的电子移到n区,n区的空穴移到p区,这样在结的两端就有电荷积累,形成电势差.这现象称为p－n结的光生伏特效应.由于这些特性,用p－n结可制成半导体二极管和光电池等器件.如果在p－n结上加以反向电压（n区加在电源正极,p区加在电源负极）,电压在一定范围内,p－n结几乎不通过电流,但当加在p－n结上的反向电压越过某一数值时,发生电流突然增大的现象.这时p-n结被击穿.p－n结被击穿后便失去其单向导电的性能,但结并不一定损坏,此时将反向电压降低,它的性能还可以恢复.根据其内在的物理过程,p－n结击穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种.欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
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