低温对半导体器件的影响

低温对半导体器件的影响,第1张

1、首先常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,温度的改变对半导体的导电能力、极限电压、极限电流以及开关特性等都有很大的影响。

2、其次一个芯片往往包含了数百万甚至上千万个晶体管以及其他元器件,每一点小小的偏差的累加可能造成半导体外部特性的巨大影响。

3、最后如果温度过低,往往会造成芯片在额定工作电压下无法打开其内部的半导体开关,导致其不能正常工作。

一般半导体器件中的载流子主要来源于杂质电子,而将本证激发忽略不计。在本证载流子浓度没有超过杂志电离所提供的载流子浓度范围时,若杂质全部电离,载流子的浓度是一定的,器件就能稳定工作。随着温度升高,通过本证激发出来的载流子大量增加,当温度足够高时,本证激发占主导地位,器件就不能正常工作。因此每种半导体器件都有一定的极限工作温度。所以高温下半导体器件无法正常工作。

因为半导体器件都是杂质半导体,通常温度区间(包括常温值)下器件工作在杂质的强电离区,载流子浓度是恒定的,基本不受外界影响;如果温度太高,半导体载流子以本征电离为主,则载流子浓度随外界影响太大,半导体的特性就没了,像pn结的整流特性和单向导通性,同样场效应管也不可以正常工作,甚至如果温度太高,pn结会发生击穿!

就知道这么多,,10,


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