物理问题:两个图怎么看出哪个是P型半导体,哪个是N型半导体?

物理问题:两个图怎么看出哪个是P型半导体,哪个是N型半导体?,第1张

1、首先要清楚两种半导体的导电原理。P型半导体靠空穴导电,可以看做是正电荷的定向运动形成电流。N型半导体靠自由电子导电,可以看做自由电子定向移动形成电流。2、从图中看来,左图电流方向与导体中形成电流的粒子与电流方向一致,并且图中显示其受合力使其向上板偏移,然后上板为正极,因而可判定这是正电荷定向运动所致,因而是P型半导体。3、从图中看来,右图电流方向与导体中形成电流的粒子与电流方向相反,并且图中显示其受合力使其向上板偏移,然后上板为负极,因而可判定这是自由电子定向运动所致,因而是N型半导体。

这是半导体早期的理论,从P,N制程分别半导体初创的类型,现今元件应用都进化成为复合型,单纯的N型半导体还是可以有很多运用,例如:某些二极体,某些LED二极发光体,甚至贴片电阻电容,还可能运用N制程

MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET结构。

如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层(图1c),最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极:G(栅极)、S(源极)及D(漏极),如图1d所示。

平面N沟道增强型MOSFET从图中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结。

一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起。

扩展资料:

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。

P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

参考资料来源:百度百科-双极-CMOS集成电路


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