在体材料中,光子吸收主要发生在价带电子被受激跃迁到导带的情况
外电场使能带倾斜,当外电场很强时,价带电子通过隧穿跃迁到导带的几率大大增加,有效能隙减小,使得吸收边发生红移,就是Franz-Keldysh 效应. 可以使折射率虚部与实部均发生变化,且前者占主要地位,它是由于半导体材料外加电场之后所引起的能带弯曲导致的。对波长靠近带隙的光较敏感,而对子通信用的1.31 gm和1.55 gm的近红外光则非常不敏感,效应相当微弱。
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在体材料中,光子吸收主要发生在价带电子被受激跃迁到导带的情况
外电场使能带倾斜,当外电场很强时,价带电子通过隧穿跃迁到导带的几率大大增加,有效能隙减小,使得吸收边发生红移,就是Franz-Keldysh 效应. 可以使折射率虚部与实部均发生变化,且前者占主要地位,它是由于半导体材料外加电场之后所引起的能带弯曲导致的。对波长靠近带隙的光较敏感,而对子通信用的1.31 gm和1.55 gm的近红外光则非常不敏感,效应相当微弱。
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