钛镍银金属半导体硅片制作过程毒性大吗？

钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三种金属沉积在硅片的电极面上,然后用烧结炉将所述硅片在真空高温下形成高性能的钛镍银多层金属电极,它稳定性强,导电性好,使用寿命高,并能增加器件的通态能力和可靠性.

钛金属对人无害。

钛具有“亲生物“’性。在人体内，能抵抗分泌物的腐蚀且无毒，对任何杀菌方法都适应。因此被广泛用于制医疗器械，制人造髋关节、膝关节、肩关节、胁关节、头盖骨，主动心瓣、骨骼固定夹。当新的肌肉纤维环包在这些“钛骨”上时，这些钛骨就开始维系着人体的正常活动。

钛在人体中分布广泛，正常人体中的含量为每70kg体重不超过15mg，其作用尚不清楚。但钛能刺激吞噬细胞，使免疫力增强这一作用已被证实。镍及其水溶性化合物具有致敏性，某些镍化合物具有潜在致癌性。

相对来说，银对人体的毒性很小，这是因为银的化学性质不活波，很难与物质发生反应。但也有杀菌的作用。

主权项：

一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)将硅片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上,将纯度均为99.99％以上的钛、镍、银三种材料分别放置在电子束蒸发台坩埚中的三个穴位中；

(2)关闭电子束蒸发台工作室门,抽真空至1.0×10-3Pa,加热升温至200℃；

(3)先将坩埚中装有钛材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发10-15分钟,使硅片的电极面上沉积一层钛金属；然后关断电子束高压开关,调整坩埚中装有镍材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发30-35分钟,使所述钛金属层上沉积一层镍金属；然后关断电子束电流,调整坩埚中装有银材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发30-35分钟,使所述镍金属层上沉积一层银金属；

(4)电子束蒸发台工作室停止加热,降温至100℃时停止抽真空,打开放气阀,取出沉积上钛镍银多层金属的硅片；

(5)将上述硅片放进烧结炉中,抽真空至2.0×10-3Pa,套上炉体,升温至600℃,恒温60分钟；

(6)移开炉体,降温至200℃时停止抽真空,打开放气阀,取出硅片,降至常温,得到钛镍银多层金属电力半导体器件电极。

半导体ni元素用在：化学、石油、食品及饮料工业的外包装上，以防止腐蚀、防止产品污染及保持产品纯洁等作用。

「镍」因为具有优良的物理、机械及化学特性，所以在工程及工业上的应用颇多，比如说拿来防腐蚀、增加硬度、耐磨擦及感磁性等应用。

其主要被用于合金的配方中，如镍钢、镍铬钢、镍铜等来增加其抗腐蚀及抗氧化的能力，因为其抗氧化能力佳，所以早期也常被用来制成货币。

在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。

电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动 。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。

复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

扩展资料：

半导体的应用

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应。

参考资料来源：百度百科-半导体

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