“十三五”期间，功率半导体产业应有怎样的路线图

创新是产业发展的主引擎，综合国力的竞争归根结底是创新的竞争。我国产业创新能力还不强，关键核心技术对外依存度偏高，以企业为主体的技术创新体系不完善，已经成为产业转型升级的重要制约因素。必须深入实施创新驱动发展战略，把创新摆在产业发展的核心位置，把增强技术实力作为构建产业新体系的战略支点，加快完善以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新体系，营造有利于激励创新的制度环境，推动包括科技创新、模式创新、企业创新、市场创新、产品创新、业态创新、管理创新等在内的全面创新，走创新驱动的产业发展道路。

(二)坚持绿色低碳

绿色低碳发展是实现可持续发展、赢得未来的关键举措。近年来，绿色低碳已经成为世界经济发展重要潮流。无论是从顺应国际大势看，还是从破解能源资源和生态环境约束、适应人民群众对绿水青山的期盼看，绿色低碳都是必然选择。我国产业发展尚未从根本上摆脱高投入、高消耗、高排放的粗放模式，工业生产能效、水效与发达国家仍有很大差距。这就要求我们把绿色发展、循环发展、低碳发展作为基本途径，加快推动生产方式绿色化，加快发展绿色产业，构建科技含量高、资源消耗低、环境污染少的产业结构和生产方式，走生态文明的产业发展道路。

(三)坚持两化融合

信息化和工业化深度融合是打造产业竞争新优势、抢占未来发展先机的有效途径。新一代信息技术向各领域的渗透融合，不仅使智能制造成为新型生产方式，也催生了许多新业态和新的商业模式，产业之间的界限日渐模糊，生产者和消费者之间联系更加紧密，融合发展成为产业发展的重要趋势。我国信息化水平还不高，信息化和工业化融合还有巨大潜力。必须继续做好信息化和工业化深度融合这篇大文章，把智能制造作为两化深度融合的主攻方向，促进信息技术向市场、设计、生产等环节渗透，引导制造业朝着分工细化、协作紧密方向发展，推动生产性服务业与制造业在更高水平上融合发展，走两化融合的产业发展道路。

(四)坚持结构优化

调结构、促升级始终是产业发展的中心任务。虽然我国已初步形成了完整的产业体系，但产业结构和空间布局不合理、产能过剩严重、区域发展同质化等问题仍未得到根本解决，是导致我国经济发展资源环境代价过大、质量效益不高的重要原因。随着我国进入新的发展阶段，新的消费需求、新的装备需求、新的服务需求、新的安全保障需求，又对产业结构升级提出了新的更高要求。我们必须大力推进结构调整，加快发展现代服务业，培育壮大战略性新兴产业，推动传统产业向中高端跃升，持续优化产业组织结构和空间布局，走提质增效的产业发展新路。

(五)坚持开放合作

在经济全球化时代，产业要发展壮大，开放合作是必由之路。随着我国依靠低成本要素优势参与国际分工所获得的全球化红利日趋弱化，推动产业、市场、资本和能源资源开放合作，实现高水平引进来和走出去统筹发展，已经成为拓展产业发展新空间、推动产业向价值链高端跃升的必然选择。这就要求我们实施更加积极的开放战略，用全球视野配置产业链和空间分布，不断拓展新的开放领域和空间，提升企业跨国经营能力和国际竞争力，加强产业全球布局和国际交流合作，在优进优出中实现产业层次和竞争力的提升，走开放合作的产业发展道路。

(六)坚持人才为本

人才是构建产业新体系的骨干力量，产业强国一定是人才强国。美国之所以成为最富创造力的制造强国，与其培养并广泛吸纳了大批科技创新型人才和专业技术人才直接相关。具有工匠品质的“德国制造”，也与其培养的众多高素质技能型人才密不可分。与产业发展需求相比，我国不仅缺乏能够适应创新发展的领军人才和高层次技术人才，还缺少优秀的高水平经营管理人才和高素质专业技能人才。必须把人才作为构建产业新体系的根本保障，建立健全科学合理的选人、用人、育人机制，加快培养和吸引产业发展急需的专业技术人才、经营管理人才、技能人才，建设一支素质优良、结构合理的产业人才队伍，推动“人口红利”向“人才红利”转变，走人才引领的产业发展道路。

电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。

功率半导体器件通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。

功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备。

扩展资料

电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。

80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。

参考资料来源：百度百科-电力电子器件

第四代半导体材料：以氧化镓(Ga2O3)为代表

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。

第四代半导体的发展背景

随着量子信息、人工智能等高新技术的发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术也在更新迭代。虽然前三代半导体技术持续发展，但也已经逐渐呈现出无法满足新需求的问题，特别是难以同时满足高性能、低成本的要求。

此背景下，人们将目光开始转向拥有小体积、低功耗等优势的第四代半导体。第四代半导体具有优异的物理化学特性、良好的导电性以及发光性能，在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。

目前具有发展潜力成为第四代半导体技术的主要材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓、铟化砷化合物半导体；超宽带隙的氧化物材料；其他各类低维材料如碳基纳米材料、二维原子晶体材料等。