改变半导体局部导电性的重要方法？

改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种：

掺杂：在半导体材料中掺入不同的杂质原子，可以改变材料的导电性质。掺入五价元素（如磷、砷等）可以形成N型半导体，掺入三价元素（如硼、铝等）可以形成P型半导体。

离子注入：通过离子注入技术，在半导体表面形成高能离子轰击区域，使局部区域的导电性质发生改变。离子注入通常用于制作集成电路器件的精细控制区域。

光刻技术：利用光刻技术在半导体表面覆盖一层光刻胶，并在胶面上利用投影机将芯片上的图形投影到光刻胶上，最后在芯片表面暴露出光刻胶中未被覆盖的部分。通过这种方式，可以在芯片表面形成精细的图形结构，进而改变半导体的局部导电性。

聚焦离子束（FIB）技术：FIB技术利用高能离子束在半导体表面进行刻蚀和刻划，可以制作出微米级别的半导体器件结构。通过这种方法可以在半导体表面形成局部结构，进而改变局部区域的导电性质。

这些方法通常用于半导体器件的制造和修饰，可以在半导体表面形成精细的结构和控制区域，对于半导体器件的性能和功能的提升非常重要。

半导体：金属导电性能好，非金属导电性能一般来说比较差．有一些元素，例如硅、锗，导电性能介于金属和非金属之间，比金属差，比非金属强，常常称做半导体．除了导电性能外，半导体还有许多其他特性，例如温度、光照、杂质等外界因素都对它的性能有很大影响．自动照相机能够根据光的强弱自动调整曝光量，所用的感光元件就是一个光敏电阻．光敏电阻是用半导体材料制成的．有一些元素，例如硅、锗，常常称做半导体．导电性能介于金属和非金属之间，比金属差，比非金属强．①有的半导体，在受到压力后电阻会发生较大的变化，电阻由大到小；②有的半导体，在受热后电阻随温度的升高而迅速减小；③有的半导体，在光照下电阻大大减小，如光敏电阻，没有光照时，光敏电阻就像绝缘体那样不容易导电，有光照时，光敏电阻又像导体那样导电．因此光敏电阻广泛应用到需要对光照反应灵敏的许多自动控制设备中，如光控等装置、照相机的自动调整曝光装置等．http://mag.big-bit.com/news/list-417.html

相同点：

能改变半导体材料的电导率

不同点：

改变方法与效果不同

掺杂在一般能浓度下对载流子的迁移率影响不大，主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率。只有在重掺杂时才会是迁移率下降，不过载流子浓度增加的更多一些，总体使电导率升高。

温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降，影响电导率。（但是对于掺杂半导体比较麻烦对于迁移率和载流子都会有影响）。光照激发则是产生光生非平衡载流子，改变载流子浓度产生附加电导。（但其迁移率基本不变）

扩展资料：

半导体应用

半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用。

光伏应用

半导体材料光生伏特效应是太阳能电池运行的基本原理。现阶段半导体材料的光伏应用已经成为一大热门 ，是目前世界上增长最快、发展最好的清洁能源市场。太阳能电池的主要制作材料是半导体材料，判断太阳能电池的优劣主要的标准是光电转化率 ，光电转化率越高 ，说明太阳能电池的工作效率越高。根据应用的半导体材料的不同 ，太阳能电池分为晶体硅太阳能电池、薄膜电池以及III-V族化合物电池。

照明应用

LED是建立在半导体晶体管上的半导体发光二极管 ，采用LED技术半导体光源体积小，可以实现平面封装，工作时发热量低、节能高效，产品寿命长、反应速度快，而且绿色环保无污染，还能开发成轻薄短小的产品 ，一经问世 ，就迅速普及，成为新一代的优质照明光源，目前已经广泛的运用在我们的生活中。如交通指示灯、电子产品的背光源、城市夜景美化光源、室内照明等各个领域 ，都有应用。

大功率电源转换

交流电和直流电的相互转换对于电器的使用十分重要 ，是对电器的必要保护。这就要用到等电源转换装置。碳化硅击穿电压强度高 ，禁带宽度宽，热导性高，因此SiC半导体器件十分适合应用在功率密度和开关频率高的场合，电源装换装置就是其中之一。

碳化硅元件在高温、高压、高频的又一表现使得现在被广泛使用到深井钻探，发电装置中国的逆变器，电气混动汽车的能量转化器，轻轨列车牵引动力转换等领域。由于SiC本身的优势以及现阶段行业对于轻量化、高转换效率的半导体材料需要，SiC将会取代Si，成为应用最广泛的半导体材料。

参考资料来源：百度百科-半导体

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