一个利空，半导体市场快速“退烧”，是反d结束了吗？

反d没有结束。首先我们不排除未来一段时间之内半导体市场有可能会“退烧”。最近几年时间，我国半导体行业发展非常迅猛，很多企业都纷纷投入巨资到半导体行业当中，有的是从事设计，有的是从事制造，有的是从事跟半导体有关的上下游产业链。

根据相关数据统计显示，2020年全年，我国新注册的半导体企业就高达2.28万家，同比增长高达195%；在众多资本纷纷进入半导体行业之后，这几年我国半导体产能也迅速增长。根据中国半导体行业协会统计，2020年中国集成电路产业销售额为8848亿元。其中，设计业销售额为3778.4亿元，同比增长23.3%；制造业销售额为2560.1亿元，同比增长19.1%；封装测试业销售额2509.5亿元，同比增长6.8%。另外根据海关统计，2020年中国集成电路出口2598亿块，同比增长18.8%，出口金额1166亿美元，同比增长14.8%。

到了2021年，我国集成电路销售额进一步增长，全年集成电路销售额首次突破万亿元大关。从2018年到2021年，我国集成电路全行业年复合增长率高达17%，这个增长率是全球同期增速的三倍多。半导体行业的快速发展是一个巨大的惊喜，这有利于促进我国半导体行业的发展，从而逐渐减少对外部的依赖度，这是个好事情。但是目前有一些企业进入半导体行业，并不是为了真正地推动我国产业的发展，有一些企业就是为了骗取产业补贴以及骗取资本融资。最近几年很多企业都盲目进入到半导体行业当中，甚至有些企业根本没有技术基础，没有人才基础，而是成立一个公司之后，再忽悠几名行业大咖加入就开始对外融资了，这种往往都以失败告终，这里面有一个典型的案例是武汉弘芯。

目前很多地方的半导体产业都处于群魔乱舞的状态，甚至有很多地方都存在重复建设的嫌疑。这种无序的发展其实并不利于我国半导体产业的发展，半导体产业的发展还是要遵循自身的规律，不能盲目地求大求全。如果各大企业纷纷涌入到这个行业当中，抛除那些骗局不算，就算有些企业真正地把芯片生产出来了，也有可能导致我国的半导体产业出现产能过剩。这种担心并非危言耸听，因为按照最近几年我国各地半导体产业的增速来看，未来几年半导体产能还有可能维持高速增长，而这些半导体大多都是一些中低端的半导体，目前我国市场上并不缺这些半导体，我们真正缺的是一些高端的半导体。

但是对于14纳米以上的一些高端芯片，目前我国仍然严重依赖进口，比如2021年，中国进口集成电路6354.8亿个，同比增长16.92%，这里面有很多都是一些专业芯片或者高端芯片。这些高端的半导体并不是任何一个企业都能够生产出来的，这里面不仅涉及到人才的问题，更涉及到整个产业链的整合问题。尤其是在我们的光刻机等各种核心设备没有完全掌握技术之前，短期内想要大规模的生产这些高端芯片，我觉得不太现实，这意味着未来我们对高端芯片的进口依赖度仍然比较大，短期内就算国内的半导体企业非常多，也没有多少企业能够弥补这部分缺口。所以从表面上来看，虽然我国对半导体的需求量非常大，但未来仍然有较大的增速空间，但是真正能够啃下这部分市场份额的国内企业并不多。

这意味着大多半导体企业都只能在中低端芯片群魔乱舞，最终的结果肯定是产能不断增加，价格不断下调，甚至出现明显的产能过剩。尤其是在当前电子产品消费不太景气的背景下，市场对芯片的需求会放缓。目前芯片主要用在一些电子产品，汽车，以及工业产品上。而最近一年多时间，我国的电子产品消费增速明显放缓了，尤其是手机的销量出现了明显的下滑。根据中国通信院发布的数据显示，2022年1~5月份，国内手机市场总体出货量累计1.08亿部，同比下降27.1%，其中5G手机出货量8620.7万部，同比下降20%；如果把苹果等一些外资品牌剔除在内，国内手机品牌的下滑幅度会更大。

在手机整体销量下滑明显的背景之下，这些手机厂家对芯片的需求肯定是下降的；另外最近两年时间，在我国汽车保有量越来越大的背景之下，汽车的产销量增速已经开始放缓，甚至出现下滑，这时候汽车产业对芯的需求量不可能有太快的增长。这意味着未来我国半导体的增速要远超过市场需求的增速，其结果只有一种可能，那就是产能过剩。所以从市场需求的角度来看，未来几年时间我觉得我国的半导体可能会退烧的。只不过从长期来看，对那些拥有核心技术，而且专注于生产高端芯片的厂家，他们仍然有很大的发展空间，未来他们仍然会保持快速的增长。

TSMC的第三季度报告是光明的，但预计市场明年将遭遇逆风。TSMC公布三季报并表示，公司多项财务指标创历史新高，其中利润达新台币2809亿元，同比增长近80%，毛利率达到前所未有的60.4%。市场巨大震荡的源头是随后的法国会议，今年的资本支出将从最初估计的400-440亿美元削减至360亿美元，明年的资本支出计划将“更加谨慎”。

新冠肺炎疫情在全球部分地区引发了半导体供应链断裂的危机。基于此，美国川普政府担心美国过度依赖亚洲半导体供应链，因此最近开始与TSMC和英特尔等半导体制造商谈判，希望在美国建厂，实现芯片自给自足。也许是美国向TSMC提供了优惠条件，TSMC最终敲定了在美国建厂的计划。

生产率的下降不是结构性需求的变化。预计明年下半年对7 nm支持的需求会再次上升。同时，行业衰退的预期不会影响TSMC的持续增长。与整个行业相比，TSMC的业绩波动将更加稳定和灵活。最后，关于美国的出口限制措施，TSMC也确认获得了为期一年的许可，整体影响有限可控，因此南靖工厂的出货不会受到影响。

要知道的是世界上最大最好的芯片制造商是TSMC。TSMC现在已经实现了5 nm工艺标准的量产，而最好的芯片制造公司SMIC刚刚完成了14 nm的量产。用于制造最先进工艺芯片的光刻机必须从荷兰ASML公司进口，但是我现在买不到，由于某种原因导致的，所以是需要在最好的光刻机生产商是上海微电子，现在生产90纳米光刻机。

半导体有什么好处 为什么要用半导体, 为什么要使用半导体而不是导体

半导体是介于导体与绝缘体之间的材料。但半导体有个特性是导体和绝缘体所没有的，那就是可以做成两种不同特性的基片，再把这两种基片结合到一起就可体现绝缘和导体交替的特性，如二极体反向绝缘，正向导电，三极体通过一个控制端可让其导电就导电，让其绝缘就绝缘。所以就容易成为可以控制的器件，由此制作了很多电子产品

晶片为什么要用半导体作？

矽做为半导体,可以有很多特殊的功能.在高纯的矽加些别的微量元素可以有独特的作用,比如做2J管.3J管,实际上很多硬体都是由各种电子元件构成的 ,其中不缺乏2.3J电晶体.

什么叫杂质半导体？杂质半导体有哪几种？为什么要往纯净的半导体中掺入杂质？

本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体,半导体中的杂质对电导率的影响，本征半导体掺杂后形成的P型或N型半导体，是制造积体电路，二极体电晶体的必须材料 :baike.baidu./view/1003023.?wtp=tt

导体和半导体有什么区别 半导体也能导电为什么不叫导体

导体,一般指金属,其在常温下的金属晶体结构与晶体矽等半导体是大不相同的,虽然名义上金属在非化合态的时候电子轨道最外层也有1-4个电子在围绕原子核高速旋转,看起来是受原子核严密控制的,但实际上金属晶体的结构却十分松散,金属原子之间可以滑动,这就是为什么金属有或多或少的延展性,而电子们的活动就更为自由,当有外电压的作用时,他们就会发生定向移动,形成电流.半导体晶体的内部结构相比之下就牢固得多,特别是体现在原子核对其外层电子的作用力较强,当电子离开原子核的时候,原子核对电子原来的作用力就在原先电子存在处形成了"力量真空",就是我们所说的空穴.而金属的力量相比之下小得多,当失去电子之后就不能认为出现了"力量真空”。所以，只有在描述半导体导电原理是才引入“空穴”这个概念（清华资源）

本征半导体与参杂半导体有什么不同？

本征半导体是c纯净的半导体。在本征半导体中参入微量杂质元素可提高半导体的导电能力，参杂后的半导体称为杂质半导体。根据参入杂质的不同可分为N型半导体和P型半导体。

本征半导体费米能级位于导带底和价带顶之间的中线上，导带中的自由电子和价带中的空穴均很少，因此常温下导电能力低，但在光和热的激励下导电能力增强。

n型掺杂半导体的费米能级接近导带底，导带中的自由电子数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于电子导电为主的半导体。

p型掺杂半导体的费米能级接近价带顶，价带中的空穴数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于空穴导电为主的半导体。

半导体有什么用处

半导体的导电效能介于导体和绝缘体之间，不掺杂的半导体(也叫本征半导体)的导电效能很差，但掺杂后的半导体就有一定的导电效能了，例如在Si半导体中掺杂P或者B等杂质就可以使半导体变成N型或P型半导体。N型半导体中电子是多数载流子，而P型半导体中空穴是多数载流子。

半导体制成的PN接面具有单向导电特性，但当PN接面两端加上足够大的反向电压时，PN接面会反向击穿，这时的电压叫做反向击穿电压。利用反向击穿特性，可以制成稳压二极体，利用正向特性，可以制成整流或检波二极体。

半导体的用途太多了，一句两句很难将清楚，这里就先介绍这些了。

半导体有什么用？

自然界的物质按导电能力可分为导体、绝缘体和半导体三类。半导体材料是指室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。1906年制成了碳化矽检波器。

1947年发明电晶体以后，半导体材料作为一个独立的材料领域得到了很大的发展，并成为电子工业和高技术领域中不可缺少的材料。特性和引数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。

不同型别半导体间接触（构成PN接面）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN接面的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极体、三极体、闸流体等。

此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于资讯转换。半导体材料的特性引数有禁频宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁频宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一引数。半导体材料的特性引数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。

为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体

只有纯净的本征半导体，才可能按设计者的需要制造出需要的器件。 如果有杂质，电晶体就无法实现可控的或关断。

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