半导体存储器有几类，分别有什么特点？

1、随机存储器

对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。

特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。

2、只读存储器

用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。

特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。

3、串行存储器

它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。

特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。

扩展资料：

半导体存储器优点

1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。

2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。

3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。

参考资料来源：百度百科-半导体集成存储器

半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。 按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。 按其存储原理可分为：静态和动态两种。 其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。 主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。 半导体存储器的两个技术指标是：存储容量和存取时间。采纳哦

半导体存储器分ROM和RAM

ROM只读存储器

只能读，不能写，断电后信息不会丢失，属非易性存储器,ROM又分为

1、掩膜ROM：由生产厂商用掩膜技术将程序写入其中，适用于大批量生产

2、可编程ROM（PROM或OTP）：由用户自行写入程序，一旦写入，不能修改，适用于小批量生产

3、可擦除可编程ROM（ EPROM ）：可由用户自行写入，写入后，可用紫外线光照擦除重新写新的程序，适用于科研

4、电可擦除ROM（EEPROM）：可用电信号擦除和重新写入的存储器，适用于断电保护

RAM 随机存取存储器

既能读，又能写，断电后信息会丢失，属易失性存储器

RAM用于存放各种现场的输入输出程序，数据，中间结果。RAM又分为静态RAM，动态RAM

1、静态RAM（SRAM）：利用半导体触发器两个稳定的状态表示0或1

静态RAM又分为双极型的SRAM和MOS管的SRAM

双极型的SRAM：用晶体管触发器作为记忆单元

MOS管的SRAM：由6个MOS管作为记忆单元

双极双极型的SRAM型速度快， MOS管速度慢，不需要刷新

2、动态RAM（DRAM）：利用MOS管的栅极电容保存信静态RAM息，即电荷的多少表示0和1。

动态RAM需要进行刷新 *** 作

存储器容量可以表示成2^n,n为地址线的数目

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