半导体的导电类型？

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

扩展资料

在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

参考资料来源：百度百科-N型半导体

参考资料来源：百度百科-空穴型半导体

如果你对电阻要求不高，高掺杂的半导体是可以作为导体用的。对过你希望电阻尽量小，则不可以代替。

通常金属的电子浓度比半导体大的多。半导体的电子浓度只有10的20次方，就到头了。金属电子浓度可以超过10的22次方。因此，即使高掺杂的半导体的电阻还是要大于金属的电阻。

另外，半导体的电阻对温度的敏感性要比金属大很多。

最后，如果你把两个金属接在一起，通常也会有不错的导电性，接触电阻不会太大，但是如果把金属和半导体接在一起，就要考虑是否会变成肖特基接触了。

N型半导体是杂质半导体。N型半导体需要参入5价原子，掺入5价原子后会和硅元素进行电子交换，电子交换后就会形成很多的自由电子，远大于N型半导体内部的空穴数量，多出的自由电子便开始漂移，成为主要的导电方式。

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