长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技，谁是半导体底部真龙头

最近半导体的行情如火如荼，板块中以第三代半导体和功率半导体为核心，走出了一波轰轰烈烈的板块行情。不过，虽然半导体板块整体涨势较好，但当前半导体板块内部还是有一些处于相对低位的细分领域个股，那就是半导体芯片封测领域。那么当前还处于相对低位的半导体芯片封测领域中，这几只板块代表个股，究竟谁才是本轮芯片底部蓄劲的真龙头呢？

在具体讲个股之前，先来给大家讲一讲，咱们的分析逻辑，也就是市场、板块、个股所处阶段的判断标准。

不管是市场、板块或者个股也好，它们都可以分为 蓄劲期 、 爬坡期 、 疲劳期 、 下坡期 这四个阶段。

衡量价格所处的阶段， 我们第一要看的就是均线 。

这里，我们采用的是30均线。

当 30均线由下降转为走平 ，这个时候，就是进入 蓄劲期 的第一特征了，提示我们可以关注了。 因为底部阶段主力吸筹，往往是静悄悄的，所以这个阶段的价格波动相对平稳有趋势酝酿感，同时成交量整体呈现缩量状态。 这个阶段，就是蓄劲期，是精选好股票的阶段。

当 价格向上突破重要阻力位，同时均线也由走平 ， 转为向上 ，那么这个时候，就意味着进入 爬坡期 了。这个阶段，以持有为主。

而当 均线由上升，再度转为走平 ， 同时伴随着价格和成交量的剧烈波动 ，这个时候就是 疲劳期 。提示主力要出货了。这个阶段也是获利了结的阶段。

而当 价格跌破重要支撑位，且均线开始由走平转为向下 ，那就是在提示咱们价格正在进入 下坡期 了。这个时候要做的就是管住手，保持观望，等待价格再次进入到新的蓄劲期。

先来看，封测领域中，传统意义上的老大哥，长电 科技 ，

从走势上看，长电 科技 ，从3月上旬开始一直至今，它都处于一个横盘整理蓄劲的过程中。

不过，作为半导体板块中的一只代表个股，它最近的表现实在是有点差强人意。

半导体板块指数已经老早就突破蓄劲期进入到了爬坡期了。而长电 科技 截至目前还没有突破蓄劲期，走势相对板块而言，是比较弱的。

后市，重点关注能否有效放量突破这个蓄劲期边界。

再来看下一只代表个股，通富微电，

通富微电，作为封测板块中的一员，它的走势和老大哥长电 科技 有些雷同。

同样也是从3月上旬开始横盘整理蓄劲，直到最近才有向上突破蓄劲期的迹象。

不过，从走势上而言，通富微电的走势相对于长电 科技 而言，要稍强一些。

因为它目前已经有向上突破蓄劲期进入爬坡期的迹象了。

同时，从成交量上来看，在突破时，量能也有一定程度的放大。

第三只代表个股，就是华天 科技 。

华天 科技 的这个走势，从目前来看，强于长电 科技 ，也强于通富微电。

华天 科技 ，虽然横盘蓄劲期的时间相对要短一些，仅仅是从3月上旬到5月下旬，差不多两个多月的时间。

但它突破蓄劲期进入爬坡期的时间也更早。

在5月下旬，华天 科技 就已经向上放量突破了蓄劲期。但随后并没有快速拉升， 反而是在前期的阻力区域附近有整理了大半个月。

最近华天 科技 ，再度向上突破创新高，目前已经处于爬坡期中。

最后来看封测板块中的小老弟，晶方 科技 ，

晶方 科技 ，它的走势和上面封测三兄弟的走势也有些类似。

同样是一个大横盘蓄劲期的走势。不过，从走势上看，晶方 科技 最近也开始向上突破蓄劲期有进入爬坡期的迹象。

同时，从成交量上来看，突破时，成交量有明显放量迹象，量价配合。

不过，也要注意的是，在蓄劲期上方，它和华天 科技 一样，同样存在着一个前期阻力区域，是能够一举突破，还是像华天慢慢磨上去呢，拭目以待即可。

总体而言，从目前走势来看，封测底部蓄劲四兄弟中，华天 科技 走势最强，其次通富微电和晶方 科技 ，长电 科技 目前还处于蓄劲期中。

虽然封测四兄弟目前还不算强，但如后续半导体板块行情持续的话， 那么封测这个小的细分领域，则存在补涨机会。

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半导体制造分不同等级，不同等级对电压有不同要求。半导体芯片基本分为商业级、工业级、车规级、军工级。最常见的是商业级就是手机类消费电子产品，通常电压都是里伏特。而像工业级、车规级电压会大很多，车规级几十伏特电压，军工级更复杂。在中国标准分类中，半导体芯片涉及到半导体分立器件综合、半导体发光器件、微电路综合、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、光通信设备、半导体集成电路、标准化、质量管理、电工仪器、仪表综合、元素半导体材料。

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。它的重要特性表现在以下几个方面：

（1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。

（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。

另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。

（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

由以上特性的，可以确定为半导体。绝对不要以为是按阻值范围划分的。

下面，是根据导电特性作出的标准划分。能带的概念是大学的，建议不必深究，不用再查，确实对中学生没必要。

可将固体划分为导体，半导体和绝缘体。

善于传导电流的物质称为导体。常见的导体有金属、电解质水溶液、电离气体等。对金属来说，内层电子能量较低，充满能带，故不参与导电。金属多数是一价的，每个原子的外层轨道有一个价电子，故晶体中N个价电子不能填满一个能带而形成导带，在外电场作用下导带中的自由电子可从外电场吸收能量，跃迁到自身导带中未被占据的较高能级上，形成电流。

绝缘体在形态上可分为固态、液态和气态。固态绝缘体中又分为非晶态（如塑料、橡胶、玻璃等）和晶态（如云母、金刚石等）两类。晶态绝缘体能带的结构与导体的不同点是：电子恰好填满能量低的能带，其它的能带都是空的，亦即绝缘体中不存在导带，只有满带和空带。满带和空带之间不可能存在电子的能量区域被称为禁带。绝缘体的基本特征就是禁带的宽度（又称能隙）很大。电子很难在热激发或外电场作用下获得足够的能量由满带跃入空带。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其能带结构与绝缘体类似。在绝对零度时，只存在满带和空带。与绝缘体不同的是禁带较窄，在室温下，在外界光、热、电作用下能容易地把满带中能量较高的电子，激发到空带，把空带变为导带。同时，在满带中留下一些电子空位，这些空位称为空穴，可看成是带正电荷的准粒子。在半导体中，一方面，在外电场作用下，导带中电子作定向运动，形成电流，起导电作用；另一方面，满带中的空穴，在外电场作用下，将被其它能态的电子进来填充，同时，在这个电子能态中又产生了新的空穴，于是就出现了电子填补空穴的运动。在电场作用下，填补空穴的电子也作定向移动，形成电流。这种电子填补空穴的运动，完全相当于带正电的空穴在作与电子运动方向相反的运动。为了区别于自由电子的导电，这种导电称之为空穴导电。导带中自由电子的导电和满带中空穴导电是同时存在的，宏观上的电流就是电子电流和空穴电流的代数和。满带中的空穴数和导带中电子数正好相等，都是参与导电的载流子。半导体导电与金属导电的差别，那就是金属中只有自由电子参与导电，而半导体中导带中电子和满带中空穴都参与导电。半导体中自由电子数目较小，有可能通过外部电场作用来控制其中的电子运动。半导体的电阻率随温度不同而明显变化。温度升高时，有更多的电子被热激发，使满带中的空穴数和导带中的电子数急剧增加，导电性能大大提高，电阻率相应地大大降低。

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