半导体的特性曲线

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。

结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。

1、首先要清楚两种半导体的导电原理。P型半导体靠空穴导电，可以看做是正电荷的定向运动形成电流。N型半导体靠自由电子导电，可以看做自由电子定向移动形成电流。2、从图中看来，左图电流方向与导体中形成电流的粒子与电流方向一致，并且图中显示其受合力使其向上板偏移，然后上板为正极，因而可判定这是正电荷定向运动所致，因而是P型半导体。3、从图中看来，右图电流方向与导体中形成电流的粒子与电流方向相反，并且图中显示其受合力使其向上板偏移，然后上板为负极，因而可判定这是自由电子定向运动所致，因而是N型半导体。

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