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单极型半导体器件是场效应管。场效应晶体管主要有两种类型:结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
单极器件和双极器件的单双指的是载流子的类型。双极器件内部有两种载流子参与导电,比如双极结型晶体管,也就是常说的三极管,存在两对PN结,电流来自于两种载流子的扩散电流。单极器件则是只有一种载流子参与导电的器件,比如MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)。其栅极控制栅下方的沟道反型形成二维电子气或者二维空穴气,所以参与导电过程的只有电子或者空穴,而不是两种载流子同时参与。由此可见单极器件一般可达到的电流要小于双极器件。因此在大电流应用的领域中一般要采用双极器件,比如最近几年兴起的IGBT。但是双极器件往往是PN结组成的器件,其漏电往往较高,因此在静态情况下需要低损耗的领域需要采用单极器件,比如现在的集成电路,都是CMOS工艺,其中主要器件都是MOSFET。单极型晶体管属于电压控制型半导体器件,即场效应晶体管。
特点:具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
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