最近军工，半导体，券商板块持续调整，后市还有上行的潜力吗？

职业红哥来解析一下，希望可以给散户朋友们一些帮助！

军工，半导体，证券，其实这在市场上都是人气板块，基本都是可以独撑半边天的行业，从而撑起市场的板块！

但在去年七月起他们就不在跟随指数，盘中就算异动但大多票并不跟随指数，这和去年开始的市场风格有原因！红哥来跟你谈谈～

去年七月13日几大指数见那个箱体的高点，随后就在3200～3450这个箱体震荡，这三个板块，基本就是在那个时间背离并不在同步指数。

这是因为盘面有了风格上的转化，指数被权重指标把持，基本和大多票没了关系，尤其开年来指数更是气势如虹，在上一个台阶，但这三个板块里的票多数调整，市值越小调整幅度越大！尤其今年这后半月，这里板块大多票破位下跌趋势！

那么他们未来还有希望吗？什么时间走行情，我们来探讨一下～

先说半导体～如果中长期跟踪.其实这一板块个股已经先于沪指走了牛市，是提前跑赢了大盘指数，当然不是全部是里面的一些核心代表.比如封测大佬们～华天科技～长电科技-通富微电-晶方科技。再到芯片龙头，卓胜微，北京君正.兆易创新.等等一批半导体芯片个股在2018-201919年启动到2020年后半年就是7月都已经翻了N倍，涨多了就调整，这个其实还是比较正常的！

一些散户朋友们的感觉芯片半导体不行.那是因为你们在人家热炒翻N倍后才去做的，所以就认为不好.并一路调整，这个是空间和时间有错觉，翻看之前，眼光看远点就明白些，这行业红哥跟踪数年，比较水，至于以后红哥说两点。

1.我们知道科技兴国是高层定调！芯片产业是电子信息行业的高端技术，之前我们芯片国产化率不足10%。所以我们的中兴通信曾经被卡脖子，差点干停摆。惨痛教训下，国家已经意识到在自主自强的道理。逐渐提高以及诸如5G通信、互联网汽车、智能电网、大数据云计算等新兴产业的蓬勃发展。芯片国产替代路漫漫，但已经开始扶持并进入发展期。从今年封测等业绩看都是大幅增长的，所以这一行业景气度存在，那么股票上涨的的逻辑就存在，这样我们是可以看2.在市场上一些个股相比低位业绩翻了N倍。一些个股属于伪半导体蹭热点嫌疑，所以在 *** 作上要注意逢低分批去建仓买进，需要仔细研究和甄别是真的有自己技术和能力的公司，未来才可以有正收益的回报。

再谈谈证券，此板块红哥也分析多次，但既然还有人问，职业红哥又是熟悉的行业就不免再来啰嗦一下。

一.证券未来不再是是牛市的旗手，起码整体板块不会在是，主要是未来银行领证券牌照是很快就会实现的，这样他们不再是独门生意，这样整体在牛市也不是稀缺的行业，

二.证券48家公司业务能力良莠不齐.业绩当然不会全都优秀，最近跌得多的多是中小证券，市场8成票持续新低，1700只票创股灾新低，老手判定有一批票融资盘有危险，质押给证券的证券就是压在证券身上的石头，当然这个小证券不堪重负的可能性更大.当然8成小票不可能一直这样跌，但看到领导严查违法的问题，一些证券会有些牵连。这也是未来悬在证券头上的利剑！

所以未来在选股上还是要多加甄别【这一板块红哥有多篇问答分析，有兴趣的朋友可以去红哥问答里去找。】

不过在市场这样成交之下，大多证券票块还是比较活跃的板块，所以被套朋友也不着急，随后仔细甄别个股后去波段 *** 作到亏不了钱，就看赚多少？

军工板块，不用说，这一板块的未来看好的逻辑依然存在，强国必然强军，最近周边也小有摩擦，所以对于这一板块红哥也是看好，一些核心技术的公司，在调整下来都是逢低布局的良机，起码。红哥认为比白酒靠谱的多，这一板块红哥也有详细的问答分析，感兴趣的朋友可以去红哥以往的问答里去看看。

今天就说到这里，总体这3个板块，尤其是半导体和军工，红哥自己也是看好，并有布局，希望能陪大家在今年有好的收获。

关注职业红哥，我们一起走真的牛市行情，

晶体二极管、双极型晶体管等！！！半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。半导体器件(semiconductor device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两 类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用 。折叠 晶体二极管晶体二极管的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种应用领域内制成的二极管有:整流二极管、检波二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管(曾讷二极管)、崩越二极管(碰撞雪崩渡越二极管)和俘越二极管(俘获等离子体雪崩渡越时间二极管)等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极管，以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管等。折叠 双极型晶体管它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在应用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型晶体管的电流放大效应。双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两类。折叠 场效应晶体管它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种:①结型场效应管(用PN结构成栅极)②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统)③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极)其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等配上光电二极管列阵，可用作摄像管。

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