P型半导体中空穴是怎么扩散的？

空穴其实是没有这东西的，半导体学为了更加直观的研究而设置的这么种概念，实际上空穴是电子的欠缺。扩散就是高浓度的向低浓度的移动。空穴的扩散实质是旁边的电子填补这个位置，原来电子的位置就空出来，形成新的空穴。随着电之的反向移动，空穴就一步步向推进。

给黑点代表电子，圆圈代表空穴 例子：

①❷❸❹❺❻❼❽

❶②❸❹❺❻❼❽

❶❷③❹❺❻❼❽

❶❷❸④❺❻❼❽

❶❷❸❹⑤❻❼❽

❶❷❸❹❺⑥❼❽

❶❷❸❹❺❻⑦❽

❶❷❸❹❺❻❼⑧

上面就是空穴1位置如何移动到空穴8位置的

N区电子为多子，P区电子为少子，在浓度差作用下电子会从N区向P区扩散，使P区失去空穴，留下带负电的杂质离子；而N区失去电子，留下带正电的杂质离子；从而产生空间电荷区，也就是PN层。PN结内产生内电场，在内电场作用下，电子会从P区向N区移动，而空穴会从N区向P区移动，即少子漂移

在P区多数载流子是空穴，同时有少数载流子（就是电子）存在。N区情形相反。在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。多数载流子移动时扩散，少数载流子移动时漂移。半导体加上电场，作为载流子的正空穴和自由电子就会受到电场的作用力，于是空穴就会顺着电场的方向移动，自由电子则朝电场的反向移动，从而出现电流。此电流被称为漂移电流。半导体中载流子的多少常用浓度来衡量，而且载流子会从浓度高的部位向浓度低的部位扩散。正空穴会从浓度高的部位向浓度低的部位扩散，这就像水中滴人一滴墨水，然后墨水会在水中慢慢地扩散。半导体中的这种载流子的扩散移动被称为扩散电流。

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