首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项专利申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时，接受国家财政援助，在武汉新新的基础上建立长江仓储。
其次是中国半导体产业发展迅速，芯片领域的各种技术、设备、材料遍地开花。许多企业进入半导体行业，为中国半导体行业的发展做出了贡献。科技部缩减人才数量，3000名半导体精英回国报效祖国。虽然中国对芯片的需求供不应求，这是中国半导体行业的一个显著问题，但随着中国研究人员对EUV的进一步研发，中国芯片最终将走向全球市场。
再者是长江存储做了一个疯狂的决定，跳过96层直接挑战128层，与东芝、三星等大厂角力，正式挑战市场。好在长江存储再次证明了国内R&D人员的决心，全球首款128层3D NAND闪存研发成功。国产闪存芯片凭借业内最大内存存储和最快传输速度的优势，也让不少国外科技公司惊叹不已。
要知道的是中国存储行业追赶速度更快，但中美关系持续恶化，层层制裁和人才短缺仍是制约中国发展的关键因素。评价一下长江存储的NAND芯片，用于国内销售的部分iPhone。美国商务部工业与安全局(BIS)宣布修改出口管理条例，旨在进一步阻止中国发展其存储芯片能力和相关军事能力。
我国芯片制造领域传来了一个重大好消息。
我国芯片代工商“嘉合劲威”日前官宣，该司已经通过旗下品牌——阿斯加特发布新品AN4 PCle4.0 SSD，这款内存芯片的基于长江存储128层技艺。7月29日当天，观察者网联系长江存储代表人士确认了这个消息。 而这样就意味着，长江存储128层闪存芯片，顺利实现量产并完成出货，填补了我国高端存储市场的空白。
一直以来，高端存储芯片市场都是SK海力士、三星这2家韩国巨头的天下。 当前市面上的存储芯片主要分为DRAM和NAND两大类，而在DRAM领域，三星和SK海力士就占据了超过70%的市场份额，NAND的市占率也高达45%。
最新数据显示，2021年1季度，三星一家企业就占领了将近41%的内存芯片市场，SK海力士则分走了约29%的份额。 而在韩国几乎垄断了全球内存芯片市场之际，2020年10月，SK海力士还决定，斥资90亿美元（折合约582亿元人民币）买下美国巨头英特尔的闪存（NAND）业务。
SK海力士此举的意图也很简单，就是想扩大自身的内存芯片版图，从而对三星世界第一的位置发起冲击。 截至今年7月22日，已有新加坡、美国、韩国、巴西、英国等在内的7个国家和地区同意了SK海力士和英特尔的这笔生意，目前还剩下中国的监管机构没有“点头”。
要知道，靠着发展半导体产业，韩国的贸易有了突飞猛进的增长。 就在刚刚过去的6月，韩国贸易出口规模达到549亿美元，同比大增了近40%，创下有史以来6月最高的出口增幅；而这个已是韩国连续8月实现出口增长。
其中，半导体在5-6月已经连续两个月，实现100亿美元以上的出口业绩。 据韩国有关部门的数据，2021年上半年，该国在信息通信技术（ICT）领域突破了1030亿美元（折合约6657亿元人民币），为有史以来第二高的出口水平。
就6月的表现而言，韩国总计卖出了111.6亿美元半导体，存储芯片的出口占比接近70%，约达75.4 亿美元。 而中国还是韩国半导体的重要出口市场，6月自韩国手里购买了近70亿美元芯片（折合约452亿元人民币），同比增幅超过37%，在我国自韩国进口的商品总额占比约达75%。
虽然目前韩国没有在芯片领域追加出口限制，我国还可以自韩国市场进口芯片，但是美国那边却不好说。 就在7月上旬，有美国官员发出呼吁，希望美国商务部将我国企业长江存储列入观察的“黑名单”中。随后，在7月16日，长江存储也对此事官方回应称，该司的芯片产品均应用在民用领域，同时严格遵守WTO等国际组织的贸易规则，美国方面的说法失实。
要知道，长江存储于2020年4月成功研发的这款128层存储芯片，具备业界最高的IO速度，工艺水平在全球领先。 而据有关机构公布的数据，2020年中国的存储芯片规模已经达到183亿美元，预计到2024年将迎来500亿美元的里程碑。
文 |廖力思 题 | 曾艺 图 |卢文祥 审 |吕佳敏
在半导体芯片制造中，“光刻”和“刻蚀”是两个紧密相连的步骤，它们也是非常关键的步骤。 “光刻”等同于通过投影在晶片上“绘制”电路图。此时，电路图实际上并未绘制在晶圆上，而是绘制在晶圆表面的光刻胶上。光刻胶的表面层是光致抗蚀剂，光敏材料将在曝光后降解。 “蚀刻”是实际上沿着光致抗蚀剂的表面显影以在晶片上雕刻电路图的图案。
半导体芯片设备蚀刻机在芯片制造领域处于国内替代的最前沿。有三个核心环节，分别是薄膜沉积，光刻和刻蚀。刻蚀是通过化学或物理方法选择性地蚀刻或剥离基板或表面覆盖膜的表面以形成由光刻法限定的电路图案的过程。
其中，光刻是最复杂，最关键，最昂贵和最耗时的环节。刻蚀的成本仅次于光刻，其重要性正在提高。薄膜沉积也是必不可少的重要过程。为了实现大型集成电路的分层结构，需要重复沉积-蚀刻-沉积的过程。
随着国际高端量产芯片从14nm到10nm到7nm，5nm甚至更小芯片的发展，当前市场上普遍使用的浸没式光刻机受到光波长的限制，密钥尺寸无法满足要求，因此必须采用多个模板过程。 使用蚀刻工艺来达到较小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提高。
刻蚀机是芯片制造和微处理的最重要设备之一。它使用等离子蚀刻技术，并使用活性化学物质在硅晶圆上蚀刻微电路。 7nm工艺相当于人发直径的千分之一，这是人在大型生产线上可以制造的最小集成电路布线间距，接近微观加工的极限。尽管我国的半导体设备行业与国际巨头之间仍然存在差距，但我们可以看到，无论是受环境，下游需求还是研发能力的驱动，国内半导体设备行业都发生了质的飞跃。
中微公司主要从事高端半导体芯片设备，包括半导体芯片集成电路制造，先进封装，LED生产，MEMS制造以及其他具有微工艺的高端设备。该 公司的等离子蚀刻设备已专门用于国际一线客户的集成电路和65nm至14nm，7nm和5nm先进封装的加工和制造。其中，7nm / 5nm蚀刻技术是国内稀缺性的技术。 该公司的MOCVD设备已在行业领先客户的生产线上投入批量生产，已成为基于GaN的LED的全球领先制造商。
公司的客户包括国内外的主流晶圆厂和LED制造商。随着公司产品性能的不断提高，客户的认可度和丰富度也在不断提高。公司生产的蚀刻设备的主要客户包括 全球代工领导者台积电，大陆代工领导者中芯国际，联电，海力士，长江存储等，光电厂商华灿光电、璨扬光电、三安光电 等。随着中微股份在半导体芯片设备领域的不断发展，公司在IC制造，IC封装和测试以及LED行业中的渗透率不断提高，并且越来越多国际厂商已成为公司的主要客户。公司开发的5nm蚀刻机已通过台积电的验证。 Prismo A7设备在全球基于氮化镓的LED MOCVD市场中处于领先地位，成功超过了传统的领先企业Veeco和Aixtron。
中微公司的主要业务是蚀刻设备和MOCVD设备的生产和销售，并处于国内半导体设备市场的前列。与公司有可比性的公司包括领先的国际蚀刻设备LAM和MOCVD设备领先的Veeco，以及国内两级半导体设备公司北方华创和精测电子。 在蚀刻设备市场上，中微公司与LAM之间存在很大差距，在MOCVD设备领域，中微公司具有与Veeco相近的实力。从国内来看，中微公司和精测电子处于同一水平，仅次于北华创，主要是因为公司是半导体芯片设备的后起之秀。总体而言，中微公司处于国内半导体芯片设备的第一梯队。
2020年前三季度，营业收入为14.8亿元，同比增长21.3％，归属于母公司所有者的净利润为2.8亿元，同比大幅增长105.3％。扣非净利润-4547.3万元，同比下降138.1％。其中，前三季度非经常性损益为2.44亿元。剔除政府补贴，确认的公允价值变动损益为1.55亿元，这主要是由于公司对中芯国际A股股权价值变动的投资以及LED芯片的供过于求。随着价格持续下降，下游企业面临毛利率和库存的双重压力。
A股上市公司半导体芯片刻蚀设备黑马股中微公司自2020年7月见顶后保持中期下降趋势，主力筹码相对较少控盘不足，据大数据统计，主力筹码约为21%，主力控盘比率约为31%； 趋势研判与多空研判方面，可以参考15日与45日均线的排列关系，中短期以15日均线作为多空参考，中期以45日均线作为多空参考。
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