封装之后的测试不熟,有FT、SLT等,具体不详,yield map一类,以前在fab的时候,看到的是结果,具体测法不详,说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。
1,出厂必测的WAT,wafer acceptance test,主要是电性能测试,每一类晶体管的参数,电压电容电阻等,每一层金属的电阻,层间的电容等,12寸厂的晶圆抽测9颗样点,均匀分布在整个wafer上,答主熟悉的55nm技术,每一个样点上必测70~120个参数,整片wafer测完约需要10~15分钟,设备主要是安捷伦和东电的;
2,在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等,膜厚是13点,线宽是9点;
3,光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值,要配合后端芯片的再制备;
4,在测试芯片(非生产性正常检测)的时候,还会测试NBTI、TDDB、GOV等;
5,其他根据芯片特性的测试。
在被测量的薄膜上垂直照射可视光,光的一部分在膜的表面反射,另一部分透进薄膜,然后在膜与底层之间的界面反射,薄膜表面反射的光和薄膜底部反射的光产生干涉现象。利用白光干涉测量法的原理,它用一个宽波段的光源来测得不同波长的反射数据,由于反射率n和k随薄膜的不同而变化,根据这一特性进行曲线拟合从而求得膜厚。不同类型材料的相应参数通过不同的模型来描述,从而保证了不同类型材料膜厚测量的准确性。大成精密设备薄膜测厚仪采用非放射性先进测量技术,是测量隔膜厚度的理想解决方案。
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