(1)使用外延炉等设备,进行气体纯化、四氯化硅精馏,在单晶片上生长单晶层;
(2)使用高温炉,在半导体晶体表面制备氧化层,使杂质由晶片表面向内部扩散或进行其他热处理;
(3)使用离子注入设备,将掺杂材料的原子或分子电离加速到一定的能量注入到晶体,并退火激活;
(4)使用气相淀积设备,在衬底表面淀积一层固态薄膜;
(5)使用光刻机在半导体表面掩膜层上刻制图形;
(6)使用机械加工等设备,对晶片加工形成器件台面,并对表面作钝化保护;
(7)使用电镀设备,对晶片、半导体器件、集成电路、电级材料的某些部位进行镀覆。
下列工种归入本职业:
外延工,氧化扩散工,离子注入工,化学气相淀积工,光刻工,台面成型工,半导体器件、集成电路电镀工
芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)。
测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。
按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。
此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用。
但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。
但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
扩展资料:
(1)元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体,其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料,容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前, 只有硅、锗性能好,运用的比较广,硒在电子照明和光电领域中应用。
硅在半导体工业中运用的多,这主要受到二氧化硅的影响,能够在器件制作上形成掩膜,能够提高半导体器件的稳定性,利于自动化工业生产。
(2)无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料,当然也有多种元素构成的半导体材料,主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族;II族与IV、V、VI、VII族;III族与V、VI族;IV族与IV、VI族。V族与VI族;
VI族与VI族的结合化合物,但受到元素的特性和制作方式的影响,不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中,InP制造的晶体管的速度比其他材料都高,主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料,主要用于LED等方面。
参考资料来源:百度百科-半导体
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)