塞贝克系数是什么

塞贝克系数可用来表征塞贝克效应的大小。其表达式为S=dV/dT。

其中，dT为热电材料上两点间的温度差；dV为相应两点间的温差电动势。热电材料中，当电子为多子时，冷端为负，S为负值；当空穴为多子时，热端为负，S为正值。

塞贝克效应的成因可以简单解释为在温度梯度下导体内的载流子从热端向冷端运动，并在冷端堆积，从而在材料内部形成电势差，同时在该电势差作用下产生一个反向电荷流，当热运动的电荷流与内部电场达到动态平衡时，半导体两端形成稳定的温差电动势。

扩展资料

塞贝克效应若将导体A和B的两端相互紧密接触组成环路，若在两联接处保持不同温度T1与T2，则在环路中将由于温度差而产生温差电动势。

在环路中流过的电流称为温差电流，这种由两种物理性质均匀的导体组成的上述装置称为温差电偶，这是法国科学家塞贝克1821年发现的。

后来发现，温差电动势还有如下两个基本性质：①中间温度规律，即温差电动势仅与两结点温度有关，与两结点之间导线的温度无关。②中间金属规律，即由A、B导体接触形成的温差电动势与两结点间是否接入第三种金属C无关。

参考资料来源：百度百科-席贝克系数

参考资料来源：百度百科-塞贝克效应

为半导体材料的温差电动热（称为塞贝克系数）.I为电流强度.To为冷端温度.ATHc为冷、热端间的温差.R为半导体致冷器内电阻 .所以,他们之间并没有多大关系.但他们俩是半导体最重要的两个电学参数!

塞贝克效应又称作第一热电效应，是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异而引起两种物质间的电压差的热电现象。一般规定热电势方向为：在热端电流由负流向正。在两种金属A和B组成的回路中，如果使两个接触点的温度不同，则在回路中将出现电流，称为热电流。相应的电动势称为热电势，其方向取决于温度梯度的方向。塞贝克效应的实质在于两种金属接触时会产生接触电势差电压，该电势差取决于两种金属中的电子溢出功不同及两种金属中电子浓度不同造成的。半导体的温差电动势较大，可用作温差发电器。