杂质半导体分为哪两种

1、杂质半导体按导体电流类型分为百电子型半导体和空穴型半导体

2、N型半导体，以电子为多数载流子的半导材料，n为negative(负)之意。

n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原子能给出电子的，其能级为度施主能级，该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体，电子激发进入导带成为主要载流子。例如，内掺入第15(VA)族元素(磷、砷、锑、铋等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等。

P型半导体，也称为空穴型半导体。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素（容如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强

按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大，而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂，所起的作用与金属杂质不同，以硅和砷化镓为例叙述杂质的行为。 1可能影响半导体的单向导电性2造成电路短路3烧坏用电器答案补充 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。

你说的导电性能好是指电阻率低.电阻率主要决定于材料中载流子的浓度和迁移率,两者均与杂质浓度和温度有关系.

当不进行掺杂时,为纯半导体材料（本征半导体）,其导电是需要特殊外界条件的（比如温度）,本征半导体的电阻率随温度增加单调下降.

对于杂质半导体：

掺杂杂质使其导电性能变好主要是由于掺杂特定杂志和杂质电力提供载流子,载流子浓度增加从而电阻率降低,导电性能变好.但其也与温度有很大关系

温度很低时,本征激发忽略,主要由杂质电离提供载流子,它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高增大,所以电阻率下降.

温度继续升高,杂质全部电离,本征激发还不显著时,载流子基本不变,晶格振动是主要影响因素,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大.

继续升高到本征激发很快增加时,本征激发称为主要影响因素,表现出同本证半导体相同的特征.

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