东微半导登陆科创板 充电桩芯片第一股成色几何？

东微半导是一家工业及 汽车 领域应用的半导体企业，在高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域中，实现了国产化。

与比亚迪半导体一样，作为炙手可热的车载芯片，东微半导IPO备受瞩目，其背后的投资阵容非常亮眼，包含了哈勃投资、中芯聚源、中兴创投以及元禾控股等。

结缘英飞凌 科技

东微半导的法定代表人为龚轶，其与王鹏飞是联合创始人。上市前，王鹏飞实控东微半导，持股比例达到16.0872%，龚轶持股13.2791%。

履历显示，龚轶出生于1976年6月，硕士毕业于英国纽卡斯尔大学。与半导体结缘，发生在1999年7月，龚轶担任美国超微半导体公司工程部工程师。

2004年9月，龚轶转投到德国英飞凌 科技 ，这是全球领先的半导体公司之一，前身为西门子集团的半导体部门。在 汽车 电子与芯片卡部门，龚轶做技术专家，一做就是3年。

2008年9月，龚轶与王鹏飞共同创办东微有限。

王鹏飞与龚轶有着相同的经历，也来自于英飞凌 科技 。凑巧的是，王鹏飞也出生于1976年，其为德国慕尼黑工业大学博士。2004年7月，在德国英飞凌 科技 ，担任存储器研发中心研发工程师一职。

值得一提的是，王鹏飞还于2009年7月起，担任复旦大学微电子学院教授，是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。

或许是两人年龄一样，背景相似，两位工程师在车载芯片上发生了交集。

成立东微半导后，王鹏飞为首席技术官，带领刘磊、刘伟及毛振东进行研发。其中，刘磊硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，曾任职华润上华半导体 科技 ，担任工艺整合工程师。有意思的是，另一核心研发人员毛振东，也任职过华润上华 科技 ，为技术开发部工程师。

而龚轶则一直做总经理，负责东微半导的业务。按东微半导的话来说，公司核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验。

缺芯潮席卷 “充电桩芯片”第一股成色几何？

核心技术人员都是半导体行业出生，东微半导成色如何？

营收数据显示，2018-2020年东微半导分别实现1.53亿元、1.96亿元、3.09亿元，分别增长28%、57%。同时，公司还预计2021年度，营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150％至160％。

营收大增的背后，是新能源 汽车 充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求提升，公司产品规模增长所致。

细察发现，东微半导专注新能源 汽车 直流充电桩、5G基站电源及通信电源等领域，为国内少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的高性能功率半导体厂商。

2019年度，东微半导MOSFET器件的平均销售单价为2.19元/颗，高于同行业的平均单价1.19元/颗。在缺芯潮下，2021年1-6月，MOSFET器件单价变为3.06元/颗，增长35.40%，为东微半导芯片中，变动幅度最大的产品。

中低压屏蔽栅MOSFET的平均单价则为1.16/颗，增长4.50%，而与比亚迪半导体一样，研发的TGBT半导体，单价则为9.10元/颗。

不过，值得注意的是，超级硅MOSFET单价却为2.81元/颗，反而同比增长-1.40%。

由于销售单价上涨，东微半导的MOSFET器件毛利率也随之上涨。2021年1-6月，该品类毛利率达到26.87%，较2020年的17.89%增长50%。

不过，在业务结构中，东微半导与士兰微和新洁能相近。士兰微主营MOSFET、IGBT半导体分立器件；新洁能则做沟槽型功率MOSFET、超级结功率MOSFET的。

2021年1-6月，两者对应的毛利率超过30%，分别为31.60%和36.93%。对应的生产模式，士兰微是IDM模式，即从设计、制造、封装测试到销售自有品牌，新洁能则以Fabless模式为主。

华为的第6个IPO来了，做VC最高回报超50倍

对于东微半导来说，哈勃投资的入局并不算太早。2020年7月，哈勃投资才向东微半导入股7530万元，对应持股比例为6.5913%，但哈勃投资为战略投资。

此前，东微半导曾发生过3次增资及3次股权转让。聚源聚芯、中芯国际的VC趁此进入。

根据披露，哈勃投资入股是看好东微半导所处行业及未来发展，入股价格为22.6075元/股，对应5053.2275的总股本，这意味着投后估值为11亿元。

2月10日，东微半导首日开盘涨13%，市值近百亿，回报近6倍。

这不是哈勃投资第一次在VC投资上，获取丰厚回报。

2022年1月12日，哈勃投资迎来了第5个IPO。其以1.1亿元投资天岳先进，持有10%股份。而哈勃投资介入的该轮融资投前估值为10亿元。

哈勃投资进入4个月后，天岳先进又进行了3.5亿元的融资，三家机构入场，这次投前估值涨到了18亿元。随着天岳先进的上市，哈勃投资在这笔投资中，回报倍数达到20倍。

此外，思瑞浦、灿勤 科技 、东芯股份、炬光 科技 ，均是哈勃投资投出的IPO。数据显示，从2019年成立，哈勃投资已经拿下了6个IPO。并且华为做VC，也发生了第一笔退出，减持480亿元芯片龙头。

或许是VC投资做的风生水起，哈勃投资也正式进军私募。1月19日，“中基协”公示了哈勃投资的私募基金管理人信息，公司于今年1月14日正式登记为私募股权、创业投资基金管理人。

股权穿透显示，实控人、大股东是华为投资控股有限公司工会委员会，持股99.25%，任正非持股0.75%。

在半导体领域上，哈勃投资还在不断加码。2021年以来，先后投资了苏州晶拓半导体、深迪半导体、东莞市天域半导体、杰华特微电子、上扬软件等等。

对于哈勃投资的成立，华为轮值董事长郭平曾谈说，华为的核心业务是聚焦在联接和计算，但贸易摩擦下，专门成立了哈勃投资，通过投资和华为的技术去帮助整个产业链。

截至目前，哈勃投资的公司中，纳芯微、好达电子、长光华芯等均已经过会。可以预见，一个“硬 科技 VC”巨头正在升起。

IGBT芯片也称为绝缘栅双极晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件 。它结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压，大电流和高速下均具有出色的性能，使其成为电力电子领域中的理想开关器件。 IGBT模块是一种模块化产品，由多个IGBT芯片和FRD（快速恢复二极管）芯片通过特定电路封装在一起组成。输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗低，开关速度快。工作频率高，部件容量大等特点。

就下游应用而言，新能源 汽车 市场占31％，成为最大的IGBT芯片应用市场。第二是家电领域，占27％。在工业控制领域排名第三，占20％。新能源发电占11％，其余占11％。下游工业控制和消费电子产品的逐步复苏有望推动IGBT芯片市场的逐步扩展 。 IGBT芯片是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心组件。新能源发电产业的快速发展将成为IGBT芯片产业的持续增长。随着新能源 汽车 市场的快速发展，IGBT芯片的需求和价值有望进一步增加，从而推动了IGBT芯片产业的增长。

目前， IGBT芯片的国产化已成为国家重点半导体器件的发展重点之一，IGBT芯片也被列为国家“ 02专项”的重点扶持项目，相关产业已进入阶段发展迅速。作为国内领先的IGBT芯片公司，斯达半导一直专注于IGBT芯片的独立研发。 该公司的IGBT芯片模块型号齐全。目前，它已经形成了涵盖工作电流5A-3600A和工作电压600V-3300V的产品布局。同时，该公司还具有提供MOSFET模块，IPM模块，整流器模块，晶闸管，碳化硅器件和其他产品的能力，从而形成了功率半导体的完整产品布局。先进的IGBT芯片设计，模块设计和制造工艺领先市场。

中高端IGBT芯片设计和制造中的技术创新和突破主要由国外制造商主导。在全球市场上，英飞凌，富士电机和IXYS等国际制造商涵盖了IGBT芯片产品的整个电压范围，而瑞萨，罗姆和意法半导体等制造商则专注于中低压产品。三菱，中国中车和斯达半导之类的制造商仅提供IGBT芯片模块产品。 随着公司产品技术水平逐步与国际水平接轨，公司在国内的替代优势越来越明显，主要体现在细分行业的领先优势，快速满足客户个性化需求的优势以及价格竞争的优势。 。该公司是IGBT芯片的领导者。随着IGBT芯片市场的快速扩展和国内替代产品的强劲趋势的帮助，企业有望凭借自身的竞争优势突围并扩大市场份额。公司在行业中的领先地位已得到牢固确立。 公司的 IGBT芯片模块的全球市场份额约为2.2％，在中国排名第一，在全球排名第八。

2020年前三季度，公司营业收入为6.68亿元，同比增长18.14％，归属于母公司股东的净利润1.34亿元，同比增长29.44％，其中第三季度，公司实现营业收入2.52亿元，同比增长26.39％，实现母公司实现净利润5300万元，同比增长36.24％。

列举生产igbt上市公司如下：

1.斯达半导。公司2021年上半年营收7.1亿，净利润1.5亿。公司以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。公司拥有IGBT模块的设计和应用专家，并成立了专门的应用部，能够快速、准确地理解客户的个性化需求，并将这种需求转化成产品要求同时，公司建立了将客户需求快速有效地转化成产品的新产品开发机制，目前公司已形成上百种个性化产品，这些个性化产品成为公司保持与现有客户长期稳定合作的重要基础另外，与国际品牌厂商相比，作为IGBT模块的国产厂商，公司采用了直销模式，直接与客户对接，从而进一步提升了服务客户的效率。

2.新洁能。公司2021年上半年营收6.78亿，净利润1.75亿。公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。

3.华微电子。公司2021年上半年营收9.9亿，净利润2661万。公司主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务。公司发挥自身产品设计、工艺设计等综合技术优势，已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系，正逐步由单一器件供应商向整体解决方案供应商转变同时公司积极向新能源汽车、军工等领域快速拓展，并已取得明显效果，为公司发展奠定了坚实的基础。

4.台基股份。公司2021年上半年营收1.6亿，净利润3300万。IGBT模块是公司重点发展的主营业务之一，公司通过自主研发和外部引进，已经掌握了工业级IGBT模块的封测技术。公司IGBT模块封测的关键技术和产品指标处于行业先进水平，且具有完全自主的知识产权。公司大功率IGBT已经量产，并积极开展产学研合作，持续跟踪SiC、 GaN等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。

5.宏微科技。公司2021年上半年营收2.334亿，净利润3100万。公司主要产品包括 IGBT、FRED 芯片、单管和模块。公司 IGBT 单管芯片全部来自自研，模块产品芯片自研外购并举。公司产品主要用于工业 控制、新能源和变频白色家电领域。

随着碳中和，新能源汽车和工业控制领域的发展，国内igbt的需求会越来越大，未来igbt是一个值得关注的领域。

---