制作硅太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电转换反应。
当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼在室温下较稳定,可与氮、碳、硅作用,高温下硼还与许多金属和 金属氧化物反应,形成 金属硼化物。
拓展资料:通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的 硅锭上锯割而成。
太阳电池是利用半导体光生伏特效应的半导体器件。当太阳光照射到由p型和n型两种不同导电类型的同质半导体材料构成的p-n结上时,在一定条件下,光能被半导体吸收后,在导带和价带中产生非平衡载流子——电子和空穴。它们分别在p区和n区形成浓度梯度,并向p-n结作扩散运动,到达结区边界时受p-n结势垒区存在的强内建电场作用将空穴推向p区电子推向n区,在势垒区的非平衡载流子亦在内建电场的作用下,各向相反方向运动,离开势垒区,结果使p区电势升高,n区电势降低,p-n结两端形成光生电动势。晶体硅包括单晶硅和多晶硅,晶体硅的制备方法大致是先用碳还原
SiO2
成为Si,用HCl反应再提纯获得更高纯度多晶硅,单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
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