肖特基缺陷(Schottkydefect)是一种化合物半导体中的点缺陷。在化合物MX中,在T>0K时,由于晶格热振动,能量大的原子离开原格点进入晶格间隙或进入表面,或蒸发到外界,而失去原子的晶格位置即出现空缺生成空位以符号VM(或VX)表示。
空位是化合物半导体中常见的点缺陷之一。如果对一个按化学计量比组成的化合物MX晶体,在产生VM的同时,也产生数目相同的VX。此时产生的缺陷称肖特基缺陷,记作(VM VX)。空位可以是中性,也可带正电或负电。它对化合物半导体的导电性能有较大的影响。
特性:
一般来说,随着温度的升高,缺陷的浓度会增大。对于典型的离子晶体碱金属卤化物,其肖特基缺陷形成能较低,所以,肖特基缺陷主要存在于碱金属卤化物中,但只有高温时才明显,尚只有个别例外。对于氧化物而言,其离子性显然小于碱金属卤化物,所以它的肖特基缺陷形成能较高,只有在较高的温度下,它的肖特基缺陷才变得重要。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)