霍尔效应电子漂移速度是多少

26hv。霍尔效应电子漂移速度是平均的漂移速度，官方所给数据是26hv，因此是26hv。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差。

在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关？迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关。迁移率=电荷量乘自由时间×有效质量。平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间。迁移率是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量为0.5m0（m0是自由电子质量），砷化镓中电子的有效质量为0.07m0。空穴分重空穴和轻空穴，它们具有与电子不同的有效质量。半导体中载流子在低温下主要受到缺陷和杂质的散射，高温下主要受到由原子晶格振动产生的声子的散射。散射越强，迁移率越低。

Jdrift=σ·vavg。

Jdrift是电流密度，σ是以C/m为单位的电荷密度，vavg是载体的平均速度(即漂移速度)。Uavg=μ·E，μ是以m^2/(V·s)为单位的电子迁移率，而E是以V/m为单位的电场强度。

漂移速度(DriftVelocity)，是指一个粒子(例如电子)因为电场的关系而移动的平均速度。

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