要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。
对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。
在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。
扩展资料:
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。
由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。
参考资料来源:百度百科--P型半导体
参考资料来源:百度百科--半导体
你看图,在圈里的黑点都是电子,形成了固定的化学键,不能乱动,所以无法作为载流子。白点空穴,就是那个白点没电子,所以白点没有形成固定的化学键,可以移动,作为载流子形成电流。空穴是载流子的时候就是p型半导体,positive,因为空穴是带正电的。+3价是最外层电荷数,和阴离子没关系,因为中性的硼最外层3个电子,现在有4个,比原来多1个,所以是阴离子。比如食盐NaCl,Cl-也是阴离子,最外层电荷+7,现在形成食盐后,最外层有8个电子,比原来多一个,所以是阴离子。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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