什么样带隙的半导体材料适合做LED?为什么?

LED一般应该采用直接带隙半导体材料，如砷化镓；因为这种半导体载流子的辐射复合几率很大，发光效率高。不过，常用的发红光、发黄光的二极管，多是采用间接带隙半导体材料GaP来制作的，但是必须要在其中掺入所谓等电子杂质来提高发光效率才行。

因为直接能隙半导体材料的辐射复合几率很大，而间接带隙半导体则否。

因为直接能隙半导体材料中的电子、空穴复合时，没有动量的改变，则不需要第三者参与，故能量都可以发光的形式释放出来——发光强度大。

但是间接能隙半导体材料中的电子、空穴的复合，有动量的改变，则必须要有第三者（主要是声子）参与，故能量几乎不能以发光的形式释放出来——发光强度非常低。

一个体材料就是衬底是硅，上面各种外延半导体材料，比如Ge、SiGe等等，主要用于制造半导体器件。

LED外延片，顾名思义，就是用作LED的外延片。一般体材料或者说衬底是蓝宝石，外延材料是GaN之类的III-V发光材料。当然了，现在衬底也有用硅的，便宜嘛。

所以，总的来说，两者的区别，就是在衬底上外延的材料不同呗。一个硅上半导体材料一个硅上LED材料，如此而已。

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