如何测试太阳能电池的iv特性曲线

太阳能光伏电池实验讲义

一、实验目的

1、了解pn结基本结构与工作原理；

2、了解太阳能电池的基本结构，理解工作原理；

3、掌握pn结的伏安特性及伏安特性对温度的依赖关系；

4、掌握太阳能电池基本特性参数测试原理与方法，了解光源波长、温度等因素对太阳能电池

特性的影响；

5、通过分析pn结、太阳能电池基本特性参数测试数据，进一步熟悉实验数据分析与处理的方法，分析实验数据与理论结果间存在差异的原因。

二、实验原理

1、光生伏特效应

半导体材料是一类特殊的材料，从宏观电学性质上说它们导电能力在导体和绝缘体之间，导电能力随外界环境（如温度、光照等）发生剧烈的变化。半导体材料具有负的带电阻温度系数。从材料结构特点说，这类材料具有半满导带、价带和半满带隙，温度、光照等因素可以使价带电子跃迁到导带，改变材料的电学性质。通常情况下，都需要对半导体材料进行必要的掺杂处理，调整它们的电学特性，以便制作出性能更稳定、灵敏度更高、功耗更低的电子器件。基于半导体材料电子器件的核心结构通常是pn结，pn结简单说就是p型半导体和n型半导体的基础区域，太阳能电池本质上就是pn结。

常见的太阳能电池从结构上说是一种浅结深、大面积的pn结。太阳能电池之所以能够完成光电转换过程，核心物理效应是光生伏特效应。这种效应是半导体材料的一种通性。如图1所示，当特定频率的光辐照到一块非均匀半导体上时，由于内建电场的作用，载流子重新分布导致半导体材料内部产生电动势。如果构成回路就会产生电流。这种电流叫做光生电流，这种内建电场引起的光电效应就是光生伏特效应。

非均匀半导体就是指材料内部杂质分布不均匀的半导体。pn结是典型的一个例子。n型半导体材料和p型半导体材料接触形成pn结。pn结根据制备方法、杂质在体内分布特征等有不同的分类。制备方法有合金法、扩散法、生长法、离子注入法等等。杂质分布可能是线性分布的，也可能是存在突变的，pn结的杂质分布特征通常是与制备方法相联系的，不同的制备方法导致不同的杂质分布特征。

图1 pn结结构示意图

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根据半导体基本理论，处于热平衡态的pn结结构由p区、n区和两者交界区域构成。为了维持统一的费米能级，p区内空穴向n区扩散，n区内空穴向p区扩散。载流子的定向运动导致原来的电中性条件被破坏，p区积累了带有负电的不可动电离受主，n区积累了不可能电离施主。载流子扩散运动的结果导致p区带负电，n区带正电，在界面附近区域形成由n区指向p区的内建电场和相应的空间电荷区。显然，两者费米能级的不统一是导致电子空穴扩散的原因，电子空穴扩散又导致出现空间电荷区和内建电场。而内建电场的强度取决于空间电荷区的电场强度，内建电场具有阻止扩散运动进一步发生的作用。当两者具有统一费米能级后扩散运动和内建电场的作用相等，p区和n区两端产生一个高度为qVD的势垒。理想pn结模型下，处于热平衡的pn结空间电荷区没有载流子，也没有载流子的产生与复合作用。

当有入射光垂直入射到pn结，只要pn结结深比较浅，入射光子会透过pn结区域甚至能深入半导体内部。如图2所示，如果入射光子能量满足关系hEg（Eg为半导体材料的禁带宽度），那么这些光子会被材料本征吸收，在pn结中产生电子空穴对。光照条件下材料体内产生电子空穴对是典型的非平衡载流子光注入作用。光生载流子对p区空穴和n区电子这样的多数载流子的浓度影响是很小的，可以忽略不计。但是对少数载流子将产生显著影响，如p区电子和n区空穴。在均匀半导体中光照射下也会产生电子空穴对，它们很快又会通过各种复合机制复合。在pn结中情况有所不同，主要原因是存在内建电场。内建电场的驱动下p区光生少子电子向n区运动，n区光生少子空穴向p区运动。这种作用有两方面的体现，第一是光生少子在内建电场驱动下定向运动产生电流，这就是光生电流，它由电子电流和空穴电流组成，方向都是由n区指向p区，与内建电场方向一致；第二，光生少子的定向运动与扩散运动方向相反，减弱了扩散运动的强度，pn结势垒高度降低，甚至会完全消失。宏观的效果是在pn结两端产生电动势，也就是光生电动势。

图2 光辐照下的pn结

光辐照pn结会使得pn结势垒高度降低甚至消失，这个作用完全等价于在pn结两端施加正向电压。这种情况下的pn结就是一个光电池。开路下pn结两端的电压叫做开路电压Voc，闭路下这种pn结等价于一个电源，对应的电流Isc称为闭路电流。光生伏特效应就是光能转化为电能的过程，开路电压和闭路电流是两个基本的参数。

2、太阳能电池无光照情况下的电流、电压关系－（暗特性）

太阳能电池是依据光生伏特效应把太阳能或者光能转化为电能的半导体器件。如果没有光照，太阳能电池等价于一个pn结。通常把无光照情况下太阳能电池的电流电压特性叫做暗特性。近似地，可以把无光照情况下的太阳能电池等价于一个理想p

肖特基接触肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

IV分析仪，又称为伏安特性分析仪，主要用于测试半导体器件伏安特性曲线，比如二极管、NPN管等，是以Windows为基础的仿真工具Multisim的测试仪器。

整个 *** 作界面就像一个电子实验工作台，绘制电路所需的元器件和仿真所需的测试仪器均可直接拖放到屏幕上，轻点鼠标可用导线将它们连接起来，软件仪器的控制面板和 *** 作方式都与实物相似，测量数据、波形和特性曲线如同在真实仪器上看到的。

其图标上有三个连接端口，选择器件类型（比如二极管或三极管）之后，面板的连接端口会有相应的连接提示，按提示连接即可。

IV分析仪主要用途：可以观察晶体管高电压、大电流特性，也可以了解晶体管低电压、小电流特性或者其他局部细节。

扩展资料：

IV特性曲线：

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。

电源伏安特性曲线图线面积的意义：

在电源的伏安特性曲线上取一点，则该点的横坐标表示干路中的电流，纵坐标表示电源的路端电压；由该点分别向两坐标轴作垂线，则此垂线与两坐标轴所围的面积表示电源的输出功率。

电源伏安特性曲线与电阻伏安特性曲线交点的意义：

对于某一定值电阻R，其电压与电流成正比，即U=IR，在U-I直角坐标系中，其伏安特性曲线为一条过原点的直线，此直线与电源伏安特性曲线的交点表示了闭合电路的工作状态。

参考资料来源：百度百科-multisim

参考资料来源：百度百科-伏安特性曲线

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