日本福岛大学佐藤教授通过制作铟、镓和砷元素中掺入碳的化合物半导体膜的实验,开发出利用化合物半导体低成本的原理制造高纯度的氢。新方法比目前应用的钒合金膜制氢法降低成本10%左右。
他在试验中制作了在铝基板上铟、镓和砷半导体中加入碳的P型半导体膜,发现这种半导体化合物膜可以作为氢过滤介质过滤氢。在利用压力差进行氢透过试验中,氢形成一个质子氢离子通过膜,而不纯物没有透过,制造出了纯度几乎接近100%的氢。
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日本福岛大学佐藤教授通过制作铟、镓和砷元素中掺入碳的化合物半导体膜的实验,开发出利用化合物半导体低成本的原理制造高纯度的氢。新方法比目前应用的钒合金膜制氢法降低成本10%左右。
他在试验中制作了在铝基板上铟、镓和砷半导体中加入碳的P型半导体膜,发现这种半导体化合物膜可以作为氢过滤介质过滤氢。在利用压力差进行氢透过试验中,氢形成一个质子氢离子通过膜,而不纯物没有透过,制造出了纯度几乎接近100%的氢。
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