测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。
高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）
控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA
分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至0.5%
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”
第一部分：规格&环境
1.1、 产品信息
产品型号：DCT2000
产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统
1.2、 物理规格
主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)
主机重量：＜35kg
1.3、 电气环境
主机功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超过4000m；
环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；
相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；
大气压力：86Kpa～106Kpa；
防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；
电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；
工作时间：连续；
第二部分：应用场景和产品特点
一、应用场景
1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）
2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）
3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）
4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）
5、 量产测试 （可连接机械手、扫码q、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）
6、 替代进口 （DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品）
二、产品特点
1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配；
2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配；
3、驱动电压10mV~40V
4、控制极电流10uA~10mA；
5、16位ADC，100K/S采样速率；
6、自动识别器件极性NPN/PNP
7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确
8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验
9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）
10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）；
11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ）
12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss；
13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置；
14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个；
15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用；
第三部分：产品介绍
3.1、产品介绍
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件静态参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。
半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。
产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。
半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让 *** 作人员在夹具上实现一点即测。 *** 作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。
3.2、人机界面（DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统）
第四部分：功能配置
4.1、 配置选项
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下
4.2、 适配器选型
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下
4.3、 测试种类及参数
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下
(1)二极管类：二极管 Diode
Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；
(2)二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）
Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；
(3)二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）
Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；
(4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）
Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；
(5)二极管类：瞬态二极管 TVS
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；
(6)二极管类：整流桥堆
Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；
(7)二极管类：三相整流桥堆
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；
(8)三极管类：三极管
Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process；
(9) 三极管类：双向可控硅
Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；
(10)三极管类：单向可控硅
Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；
(11)三极管类：MOSFET
Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；
(12)三极管类：双MOSFET
Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；
(13)三极管类：JFET
Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；
(14)三极管类：IGBT
Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；
(15)三极管类：三端开关功率驱动器
Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；
(16)三极管类：七端半桥驱动器
Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；
(17)三极管类：高边功率开关
Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；
(18)保护类：压敏电阻
Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr
(19)保护类：单组电压保护器
Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；
(20)保护类：双组电压保护器
Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；
(21)稳压集成类：三端稳压器
Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；
(22)稳压集成类：基准IC（TL431）
Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；
(23)稳压集成类：四端稳压
Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；
(24)稳压集成类：开关稳压集成器
选配；
(25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器
Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）；
(26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦
Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；
(27)传感监测类：
电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）；
霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）；
电压监控器（选配）；
电压复位IC（选配）；
曲线追踪仪
第五部分：性能指标
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下
5. 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元
（1）加压(FV)
量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV
量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV
量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV
量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV
量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV
（2）加流(FI)
量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA
量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA
量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA
量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA
量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA
量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA
量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA
说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调
（3）电流测量(MI)
量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA
量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA
量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA
量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA
量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA
量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA
量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA
（4）电压测量(MV)
量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV
量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV
量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV
量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV
5. 2 、 数据采集部分 （ VM ）
16位ADC，100K/S采样速率
（1）电压测量(MV)
量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV
量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV
量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV
量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV
量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV
量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV
（2）漏电流测量(MI)
量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA
量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA
量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA
量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA
量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA
量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA
量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA
（3）电容容量测量(MC)
量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF
量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF
5. 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC
（1）加压(FV)
量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV
量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV
量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV
（2）加流(FI)：
量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA
量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA
量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA
量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA
量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA
DCT2000 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....
从2018年开始，多款基于氮化镓技术开发的快充充电器相继量产，氮化镓也正式开启了在消费类电源领域商用。
近日，氮化镓半导体材料被正式写入“十四五规划”中，这就意味着氮化镓产业将在未来的发展中获得国家层面的大力扶持，前景十分值得期待。
氮化镓（gallium nitride，GaN）属于第三代半导体材料，其运行速度比传统硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。
氮化镓新技术应用领域广阔，覆盖5G通信、人工智能、自动驾驶、数据中心、快充等等，这其中快充市场发展最为迅猛，成为先进技术普惠大众的一个标杆应用，可谓是人人都能享受到新技术从实验室走向市场的便利；而快充出货量、需求量庞大，也反哺了氮化镓技术的不断迭代。快充与氮化镓，堪称天生一对。
凭借优秀的性能，两年来氮化镓技术在快充电源方面的发展一路突飞猛进，普及速度十分快，获得越来越来越多品牌客户和消费者的认可。而作为氮化镓快充的核心器件，GaN功率芯片也一直都是大家关注的焦点。
充电头网通过长期跟踪调研了解到，近两年时间里，业内GaN功率芯片供应商也从起初的一两家迅速增长至十余家。今天这篇文章就是带大家详细的了解一下当前快充领域的氮化镓功率芯片领域的主要玩家。
众多厂商入局氮化镓功率器件
面对日益增长的快充市场，全球范围内已有纳微、PI、英诺赛科、英飞凌、意法半导体、Texas Instruments、GaNsystems、艾科微、聚能创芯、东科半导体、氮矽 科技 、镓未来、量芯微、Transphorm、能华、芯冠 科技 等16家氮化镓功率芯片供应商。
值得一提的是，英诺赛科苏州第三代半导体基地在去年9月举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也预示中国功率半导体步入一个崭新时代。
充电头网通过整理了解到，目前市面上合封氮化镓芯片可分为以下四种类型：
控制器+驱动器+GaN：这种方式以老牌电源芯片品牌PI为代表，其基于InSOP-24D封装，推出了十余款合封主控、氮化镓功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化镓芯片，PowiGaN芯片获众多品牌青睐，成为了合封氮化镓快充芯片领域的领导者。
此外在本土供应商中，东科半导体率先推出两款合封氮化镓功率器件的主控芯片DKG045Q和DKG065Q， 对应的最大输出功率分别为45W和65W。这两款芯片在节约系统成本，加速产品上市方面均有着巨大的优势，并有望在2021年量产。
驱动器+GaN：这种合封的氮化镓功率芯片以纳微半导体为主要代表，其为业界首家推出内置驱动氮化镓功率芯片的厂商，凭借精简的外围设计，获得广大工程师及电源厂商青睐，在2020年底，达成芯片出货量突破1300万颗的好成绩。
驱动器+2*GaN：合封两颗氮化镓功率器件以及驱动器的双管半桥产品，其集成度较传统的氮化镓功率器件更高。这类产品应用于ACF架构，以及LLC架构的氮化镓快充产品中，可以实现更加精简的外围设计。目前纳微半导体、英飞凌、意法半导体等厂商在这类合封氮化镓芯片方面均有布局。
驱动器+保护+GaN：纳微半导体近期推出了新一代氮化镓功率芯片NV6128，集成GaN FET、驱动器和逻辑保护器件。将保护电路也加入氮化镓器件中，通过整合开关管和逻辑电路，可得到更低的寄生参数以及更短的响应时间。该芯片可以实现数字输入，功率输出高性能，电源工程师可基于此设计出更快更小更高速的电源。
氮化镓芯片品牌盘点
以下排名不分先后，仅按照品牌首字母排序，方便读者查阅。
ARK艾科微
艾科微电子专注于高功率密度整体方案开发, 并以解决高功率密度电源系统带来的痛点与瓶颈为使命, 核心团队具备超过 20 年专业经验于功率半导体产业, 我们透过不断的创新及前瞻的系统架构并深入结合功率器件及高效能封装, 来实现高品质、高效能与纯净的电源系统，以满足市场对未来的需求。
艾科微在AC/DC 快充方案上不仅推出原副边芯片, 另有自主的开发MOSFET功率器件。伴随各种应用上电子产品针对高功率密度之强烈需求，我们承诺持续投资、创新、研发并一同与我们的合作伙伴引领市场、开创未来。
Cohenius聚能创芯
青岛聚能创芯微电子有限公司成立于2018年7月，公司坐落于青岛国际创新园区，主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。
聚能创芯掌握业界领先的GaN功率器件与应用设计技术，致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。
背靠上市公司赛微电子（300456）与知名投资基金支持，聚能创芯建立了业界领先的管理和技术团队。在产品研发与量产过程中，始终坚持高品质与高可靠性的要求。在得到合作伙伴广泛认同的同时，逐步成为第三代半导体领域的国际知名企业。
在消费类电源领域，聚能创芯面向快充应用国产化GaN材料和器件技术解决方案，并基于现有的氮化镓功率器件推出全新65W、100W、120W氮化镓快充参考设计。
Corenergy能华
江苏能华微电子 科技 发展有限公司是由留美归国博士于2010年创建。团队汇集了众多海内外的专业人才，是一家专业设计、研发、生产、制造和销售高性能氮化镓外延、晶圆、器件及模块的高 科技 公司。
氮化镓（GaN）是新一代复合半导体的代表，江苏能华已建立了GaN功率器件生产线。项目计划总投资50个亿，分期投资。预计第一期投资超10个亿。公司于2017年搬入张家港国家再制造产业园，新厂房占地3万平方，拥有万级、千级以及百级的无尘车间，并配备有先进的生产设备以及专业的技术人员。
DANXI氮矽 科技
成都氮矽 科技 有限公司是一家专注于第三代半导体氮化镓功率器件与IC研发的 科技 型公司，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，公司两位创始人均拥有超过5年的氮化镓领域相关研发经验。
氮矽 科技 于2020年3月发布国内首款氮化镓超高速驱动器DX1001，同年4月推出国内多款量产级别的650V氮化镓功率芯片DX6515/6510/6508，搭配该公司的驱动芯片，进军PD快充行业。
值得一提的是，氮矽 科技 还推出了业内最小尺寸、最强散热能力的650V/160mΩ氮化镓晶体管，引领氮化镓产业革命。基于现有的氮化镓功率器件，氮矽 科技 推出4套国产GaN快充参考设计，丰富快充电源工程师的产品选型需求。
DONGKE东科
安徽省东科半导体有限公司于2009年成立，总部位于安徽省马鞍山市，主要从事开关电源芯片、同步整流芯片、BUCK电路电源芯片等产品研发、生产和销售；并成立深圳及无锡全资子公司和印度公司，负责全球市场销售及技术支持。
东科半导体在北京、青岛、无锡、深圳多地成立研发中心，多名海归博士主持研发 探索 ，在安徽马鞍山拥有2万平方米的封装车间和品质实验室，拥有DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/TO-220等多种产品封装能力；在东科半导体总部成立的马鞍山集成电路国家实验室，具备对芯片进行开封、失效分析、中测、划片、高低温测试等多种分析能力，为公司产品品质和供货提供可靠保障。
针对快充领域的应用，东科半导体推出了业界首颗合封氮化镓功率器件的电源芯片，成为了国产氮化镓快充发展史上的里程碑。
GaN system氮化镓系统公司
GaN Systems于2008年成立于加拿大首都渥太华，创始人是前北电的资深功率半导体专家。公司专注于增强型氮化镓功率器件的开发，提供高性能、高可靠性的增强型硅基GaN HEMT功率器件。
GaN Systems拥有专利的GaN芯片设计，GaNPx 芯片级封装技术和市场上最全的650V和 100V产品系列，涵盖了从小功率消费电子到几十kW以上工业级电源应用。
GaN Systems采用无晶圆厂模式，与世界级代工厂和供应链合作。产品自2014年开始量产以来，在全球范围服务超过2000家客户。在中日韩和北美及欧洲设有销售分公司和应用支持。据了解，目前GaN Systems的氮化镓功率芯片已经进入飞利浦快充供应链。
GaNext镓未来
珠海镓未来 科技 有限公司成立于2020年10月，公司致力于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新和领先。通过高起点、强队伍等，实现GaN技术的国产化，推动GaN器件的技术的*，并且通过电源系统的创新设计，实现能源的绿色、高效利用。
公司创始团队由3位资深GaN-on-Si技术/产业专家构成，以深港微电子学院于洪宇教授和美国知名氮化镓公司研发VP领衔，前华为GaN产业共同创始人加盟，构建了完整的技术、制造、市场的铁三角，厚积薄发。通过成熟领先的产品，推动GaN技术国产化，依托中国巨大电源应用市场和国家第三代半导体产业政策的支持，向氮化镓产业顶峰进军，助力国家第三代半导体产业目标的突破。
GaNPower量芯微
苏州量芯微半导体有限公司是加拿大GaNPower International Inc.在中国注册成立的公司。GaNPower于2015年在加拿大成立，总部位于加拿大温哥华市。GaNPower是全球氮化镓功率器件行业的知名公司，目前产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的增强型氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案。
苏州量芯微半导体公于2019年荣获苏州工业园区第十三届金鸡湖 科技 领军人才称号；《氮化镓功率器件及相关产业化应用》被列为政府重点扶持项目。公司的氮化镓功率器件产品荣获行业权威大奖：2020年ASPENCORE中国IC设计成就奖之年度功率器件奖。公司目前拥有40项美国和中国的专利及申请。
据悉，量芯微半导体已经推出650V氮化镓功率器件，适用于45W-300W快充。
Innoscience英诺赛科
英诺赛科 科技 有限公司成立于2015年12月，国家级高新技术企业，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件；英诺赛科是全球最大的氮化镓功率器件IDM 企业之一， 拥有氮化镓领域经验最丰富的团队、先进的8英寸机台设备、加上系统的研发品控分析能力，造就英诺赛科氮化镓产品一流品质和性能的市场竞争优势。
自从2017年建立全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线以来， 目前英诺赛科已经发布和销售多款650V以下的氮化镓功率器件，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，能广泛应用于多个新兴领域， 如快充、5G 通信、人工智能、自动驾驶、数据中心等等。
目前，英诺赛科已经建成了全球最大的氮化镓工厂，在USB PD氮化镓快充市场，英诺赛科650V高压氮化镓功率器件已经在努比亚、魅族、MOMAX、ROCK等众多知名品牌产品中得到应用，并在近期推出第二代InnoGaN产品，性能较上一代有显著提升。
此外，英诺赛科还推出了多款低压GaN功率器件，适用于同步整流、DC-DC电压转换以及激光雷达等领域。在全球市场中，英诺赛科是少有具备氮化镓高压、低压全品类产品线的IDM芯片原厂。
infineon英飞凌
英飞凌 科技 股份公司是全球领先的半导体 科技 公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。
英飞凌电源与传感系统事业部提供应用广泛的电源、连接、射频（RF）及传感技术，让充电设备、电动工具、照明系统在变得更小、更轻便的同时，还能提升能效。新一代的硅基/宽禁带半导体解决方案（碳化硅/氮化镓）将为5G、大数据及可再生能源应用，带来前所未有的突出性能和可靠性。
高精度XENSIV 传感器解决方案为物联网设备赋予了人类的感官功能，让这些设备能够感知周遭的环境，并做出“本能”反应。音频放大器产品扩充了电源与传感系统事业部的产品线，让智能音箱及其它音频应用设备能够提供卓越的音质体验。
Navitas纳微
纳微半导体是全球领先氮化镓功率IC公司，成立于2014年，总部位于爱尔兰，拥有一支强大且不断壮大的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、应用、系统、设计和市场营销方面，拥有行业领先的丰富经验，公司创始者拥有320多项专利。
GaNFast功率IC将GaN功率（FET）与驱动，控制和保护集成在一起，可为移动、消费电子、企业、电动交通和新能源市场提供更快的充电，更高的功率密度和更强大的节能效果。纳微在GaN器件、芯片设计、封装、应用和系统的所有方面已发布和正在申请的专利超过120项，已完成生产并成功交付了超过1300万颗GaNFast氮化镓功率IC，产品质量和出货量全球领先。
近期，纳微半导体也推出了最新一代氮化镓功率芯片NV6128，内置驱动和保护功能，适用于大功率快充产品。凭借优异的产品性能，纳微半导体已经成为小米、OPPO、联想、戴尔、LG等众多知名品牌的氮化镓芯片供应商，基于GaNFast芯片开发的产品多达百余款。
PI
Power Integrations 是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商，总部位于美国硅谷。
PI所推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。SCALE 门极驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动 汽车 和高压直流输电等。
自1998年问世以来，Power Integrations的EcoSmart 节能技术已节省了数十亿美元的能耗，避免了数以百万吨的碳排放。由于产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge赞助的环保技术股票指数下。
充电头网拆解了解到，PI的氮化镓芯片已被小米、OPPO、ANKER、绿联、belkin等多个品牌的快充产品采用。此外，PI还推出了全新的MinE-CAP IC，用于快充充电器时，体积可缩小40％。
ST意法半导体
意法半导体（STMicroelectronicsST）是全球领先的半导体公司，提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在，致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智慧城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。享受 科技 、享受生活，意法半导体主张 科技 引领智能生活（life.augmented）的理念。意法半导体2018年净收入96.6亿美元，在全球拥有10万余客户。
目前，ST意法半导体推出了一款GaN半桥器件，内置驱动器和两颗氮化镓，并基于该芯片推出了一套推出65W氮化镓快充参考设计。
Texas Instruments德州仪器
德州仪器 （Texas Instruments）是全球领先的半导体公司，致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片。数十年来，TI一直在不断取得进展，推出的80000多种产品可帮助约100000名客户高效地管理电源、准确地感应和传输数据并在其设计中提供核心控制或处理，从而打入工业、 汽车 、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。
2020年11月10日，德州仪器推出了650V和600V两款氮化镓功率器件，进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99％的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59％。
Transphorm
Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合，在全球已获准和等待审批的专利超过1000多项 ，是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。
得益于垂直整合的业务模式，Transphorm公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新——包括设计、制造、器件和应用支持。充电头网拆解了解到，此前ROMOSS推出的一款65W氮化镓充电器内置的正式Transphorm公司的GaN器件。
XINGUAN芯冠 科技
大连芯冠 科技 有限公司是全球领先的第三代半导体氮化镓外延及器件制造商，致力于硅基氮化镓外延与功率器件的研发、设计、生产和推广，拥有先进的外延材料与功率器件生产线，提供650V全规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。广泛应用于消费类电子（快充、大功率适配器等）、工业电子与 汽车 电子等领域。
芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。
充电头网总结
从三年前GaN技术开始在消费类电源领域商用，到如今市售GaN快充已经多达数百款，市场发展速度可谓是突飞猛进。这一方面是借助各大手机、笔电厂商陆续入局的产生的品牌影效应，另一方面也离不开氮化镓快充生态的日趋完善。
就充电头网本次不完全统计，已经布局快充市场的氮化镓芯片供应商已经多达16家，方案多达数百款；并且涵盖了多样化的封装方式，完全可以满足当前快充电源市场对核心器件的选型需求。
相信随着国家十四五规划对氮化镓产业的大力扶持，入局氮化镓功率芯片的厂商数量将越来越多。不仅产品类型将会的得到进一步完善，更重要的是当氮化镓产业呈现规模化发展后，电源厂商开发氮化镓快充的成本将会得到优化；而氮化镓功率芯片也将成为越来越多高性能快充电源产品的首选。
1、提高电机及其系统的技术品质及控制性能
例如：电动汽车、全电/多电飞机、全电/多电舰船、高铁、磁悬浮列车、风力发电、燃气涡轮发电、波浪发电等性能源发电、高档数控机床、高端科学仪器、火电水电核电等大容量电机、国防领域中的高性能电机， 需改进或提高的性能包括：效率、功率密度、转矩密度、可靠性、伺服精度、平稳性、动态响应、高转矩、高功率、稳定控制等。
2、电力系统规划与安全高效运行
例如：包括特高压、新能源、储能、微网、智能电网、直流输电在内的新一代电力系统的规划理论与方法、控制保护理论与方法、能量流与信息流相互作用机理和信息安全、大容量负荷波动性负荷随机接入对电网的影响及其调控理论方法、综合能源系统等。
3、电气绝缘与放电
例如：纳米电介质、负荷介电质系统的介电效应与损伤破坏规律；高电压大容量直流电弧的物理特性及其控制、开端；交直流绝缘的长期可靠性及其状态评估与监测等。
4、电力电子设备与系统
例如：高性能功率半导体的新结构和新机理研究；新型功率器件的封装材料和结构及其多物理层仿真和建模；大容量电力电子元器件、组件、装置的在线检测、失效分析和健康管理；电力电子装置和系统的多尺度建模、稳定性分析和可靠性技术；电力电子装置和系统的综合优化控制策略；交流/直流/混合微网和输配电换流技术等。
5、极端条件电磁装置以及极端条件下的电工装备
例如：深空/海/地、零磁/强磁、高速/超高速等极端环境对特种电工装备的影响机理；极端条件下特种电工装备用新型电工材料；特种电工装备用新型高精度电磁测量与传感；实现电磁极端条件的电磁装置，如加速、核聚变、电磁武器、核磁共振等科学研究设备以及尖端电磁装备所需要的高电压、大电流、强脉冲、强磁场等。
6、高效率、低成本、大规模电能存储技术
例如：提高电能存储装置的储能的容量、密度、效率、寿命、经济性、安全性和环保性等综合指标并取得突破；综合应用多种储能技术，提升储能系统整体的规模、效率和经济性；储能应用系统关键技术，包括储能在电力、舰船、高性能武器等系统中高效应用的规划、分析、控制理论与方法等。
7、生物电磁及其医学应用
例如：生物组织电磁特性参数的变化规律；新型电磁动态图像变化的病理生理基础及与临床表征的对应关系、磁声成像、磁共振电阻抗成像等耦合成像新方法；神经电磁调控的神经生物学机理；生物电磁干预与调控理论与方法；生物医学中的电工新技术。
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