半导体少子漂移和多子扩散 这两种状态的区别是什么？

先进行多子扩散，在中间形成空间电荷区，使得空间电荷区加宽，内电场增强，从而阻止扩散运动的进行；接下来，少子在内电场作用下，发生漂移运动，又使得空间电荷区缩短。但是在最后，多子和少子的数目达到动态的平衡，也就形成了PN结。

在P区多数载流子是空穴，同时有少数载流子（就是电子）存在。N区情形相反。在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。多数载流子移动时扩散，少数载流子移动时漂移。半导体加上电场，作为载流子的正空穴和自由电子就会受到电场的作用力，于是空穴就会顺着电场的方向移动，自由电子则朝电场的反向移动，从而出现电流。此电流被称为漂移电流。半导体中载流子的多少常用浓度来衡量，而且载流子会从浓度高的部位向浓度低的部位扩散。正空穴会从浓度高的部位向浓度低的部位扩散，这就像水中滴人一滴墨水，然后墨水会在水中慢慢地扩散。半导体中的这种载流子的扩散移动被称为扩散电流。

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