离子注入implant 后为什么要asher 半导体技术天地

离子注入implant 后为什么要asher 半导体技术天地,第1张

离子注入后退火:加热注入硅片,修复晶格损伤,使杂质原子移动到晶格点,将其激活。

高温退火和快速热处理相比,快速热处理更优越。

因为快速热处理可以避免长时间的高温导致杂质扩散,以及减小瞬间增强扩散。

简单的说就是芯片,就是集成电路。在硅片上做集成电路。成品就可以做CPU,内存条之类的。硅本身是一种半导体,所以海力士是半导体行业。当然工序很复杂,有CLEAN,CMP,THIN FILM,DIFFUSION,LITHOGRAPHY(PHOTO),ETCH,IMPLANT等。说多了你也不懂。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/9158192.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-25
下一篇 2023-04-25

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存