果然“芯片之王”！二季度净利大增76%，3纳米制程将在下半年投产

7月14日下午，“芯片之王”台积电发布2022年第二季度财报，公司营收利润均超出市场预期。公司第二季度营收5341.41亿台币，同比大涨43.5%，环比增长8.8%；净利润2370亿元台币，同比增长76%，环比增长16.9%；营业利润2621.2亿元台币，同比增长80%。

3纳米制程将在下半年投产

利润率方面，台积电二季度毛利率59.1%，超过公司预期56%~58%，创下 历史 新高；营业利润率49.1％，也超过了公司预期的45%~47%。第二季度每股税后纯利达新台币9.14元，也创下新高，超过市场预期平均值。

台积电还披露，在二季度的晶圆代工营收中，5纳米工艺所占的比例为21%，7纳米为30%，这两大工艺也就贡献了台积电二季度半数的晶圆代工收入。5纳米工艺的营收，在今年二季度仍低于7纳米，也就意味着台积电这一先进的制程工艺在量产两年后，仍未取代7纳米工艺，成为他们的第一大营收来源。

关于3纳米制程，台积电表示仍按时程将在下半年投产。而更先进的2纳米制程目前正按进度开发，预计在2025年量产。

公司预计第三季度营收为198亿美元至206亿美元；预计第三季度毛利率为57.5%至59.5%，市场预期为56.1%，营业利益率为47%至49%，市场预期为46.1%。公司还表示，长期毛利率达53%是“可实现”的；客户需求继续超过供应能力。台积电预计2022年营收(以美元计算)增长30%左右。

台积电表示，2023年将出现一个典型的芯片需求下滑周期，但整体下滑程度将好于2008年。

展望今年资本支出，台积电此前的预期是将达到400-440亿美元的 历史 新高，但是台积电董事长刘德音的最新说法是，今年资本支出规模可能落在400亿美元下方，明年资本支出仍言之过早，但长期台积电成长可期，仍会维持纪律性投资。

台积电总裁魏哲家也提到，由于供应链不顺使供应商面对考验，供应商面对供应链的考验包含先进与成熟制程，台积电今年部分资本支出会递延到2023年实现。

魏哲家表示，估计2023年半导体库存修正需要数季，但台积电确信会维持领先与持续成长，并确信公司本身设定15-20%年复合成长( CAGR)会持续并可达成。

有关2023年半导体库存修正的问题，魏哲家指出，目前看库存调整仍需要持续一段时间，2023年也会持续，不过台积电在2023产业库存调整之际估计仍将会是成长的一年。

各厂商加速扩大产能

2022年，全球半导体行业资本开支创下 历史 新高，半导体公司显著增加了资本开支以扩充产能。据ICInsights统计，2022年全球半导体行业资本开支将达1904亿美金，同比增长24%。在2021年前，半导体行业的年度资本支出从未超过1150亿美元。

台积电、三星、英特尔为扩大其在晶圆代工领域的优势，2022年纷纷加大资本开支，三家公司共占行业支出总额的一半以上。

台积电此前预计2022年资本开支达400-440亿，同比增长33.2%-46.5%，主要用于7nm和5nm先进制程扩产。三星2022年在芯片领域的资本支出约为379亿美元，同比增长12.46%。英特尔2022年的资本开支预计将达到250亿美元。

台积电在近期召开的技术论坛中指出，除了位于美国亚利桑那州、中国内地南京、日本熊本等3座12吋晶圆厂已开始兴建之外，2022 2023年将在中国台湾兴建11座12吋晶圆厂，并扩建竹南AP6封装厂以支持3DIC先进封装需求。

机构：预计全球晶圆代工增速开始放缓

TrendForce集邦咨询表示，观察2022下半年至2023年，高通胀压力使得全球消费性需求恐持续面临下修。然而，从供给端观察，晶圆代工扩产进程受到设备交期递延、建厂工程延宕等因素影响而推迟，预计将造成2023年全球晶圆代工产能年增率收敛至8%。

目前观察半导体设备递延事件对2022年扩产计划影响相对轻微，主要冲击将发生在2023年，包含台积电（TSMC）、联电（UMC）、力积电（PSMC）、世界先进（Vanguard）、中芯国际（SMIC）、格芯（GlobalFoundries）等业者将受影响，范围涵盖成熟及先进制程，整体扩产计划递延约2~9个月不等。

TrendForce集邦咨询指出，疫情前半导体设备交期约为3~6个月，2020年起交期被迫延长至12~18个月。时至2022年受俄乌冲突、物流阻塞、半导体工控芯片制程产能不足影响，原物料及芯片短缺冲击半导体设备生产，撇除每年固定产量的EUV光刻机，其余机台交期再度延长至18~30个月不等。

值得一提的是，俄乌冲突及高通胀影响各项原物料取得、以及疫情持续对人力造成影响，也导致半导体建厂工程进度延宕，此现象与设备交期延迟皆同步影响各晶圆代工厂于2023年及以后的扩产规划。

关于晶圆代工产能增速放缓，富途证券也持相同的观点。ICInsights此前曾预计，2022-2026年晶圆代工厂持续呈现20%成长；但随着AMD、苹果、英伟达在7月份公布下调订单量，富途证券认为在ICInsights2022年全球市场规模基础上下调20%，即约为1123亿美元。

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一个芯片上有六十多亿晶体管，确实是有这么多，但不只是二极管，还有其它类型的晶体管。

芯片上除了二极管还有三极管和MOS管，其中MOS管应用最广泛

芯片的集成电路不管是数字还是模拟，每一层都是由晶体管构成的，复杂的集成电路就是依靠晶体管实现导通连接。双极特征的晶体管称为三极管，用来连接电容、电阻、起到信号放大的作用。后来出现了新型金属氧化物半导体晶体管，简称MOS管，稳定的特性和超低的功耗在IC领域被广泛使用，除了模拟电路中还有用到三极管外，现在集成电路都是用MOS管，它可以代替三级管更加灵活的连接更多的电路，功耗还要低。

晶体管通过复杂的工艺植入到芯片中

要想把晶体管装入到体积很少的芯片，是非常复杂的工艺，首先是清洗硅晶圆的表面，投上一层胶水，用光刻紫外线透过蒙板照射，刻出想要的图案，离子注入晶体效应管，然后经过干蚀刻、湿蚀刻、热处理等流程将晶体管植入在指定的线路图，形成门电路。

芯片里面的晶体管分为不同的类型

一个大型的芯片，里面的晶体管展开可以覆盖地球，这么多的晶体管分为不同的类型。系统级的晶体管具有整合的功同能，将电感、电阻、电容相互连通。模块级的晶体管各自负责不同的任务，有的负责电源吗，有的负责通讯。门级晶体管就像门一样允许或阻挡信号传输。

晶体管是半导体重要的零件，制造芯片必须要用到的材料，以后芯片的制程更先进，也会对晶体管的要求越来越高。

你的问题里有个概念错误，芯片里最底层的构成是晶体管而不是二极管，这是两个东西。所有的芯片，不管类型是模拟的还是数字的，不管工艺是16nm还是7nm还是其他，来到硅片层级其实都是一个个晶体管构成的，不同的芯片只是各个晶体管的连接不一样。晶体管有很多种类，二极管只是其中的一种。

华为的麒麟980是采用的7nm工艺，内部大概有68亿个晶体管。不同的工艺，在相同的硅片面积上，可以集成的晶体管数量是不一样的，越先进的工艺可以集成的晶体管越多，但是加工难度也会上升很多。比如从16nm演进到7nm，相同功能的芯片，die面积（硅片大小或者硅片成本）减少50%左右，功耗减小30%，这也是为什么芯片厂家会不停的挑战芯片工艺极限。

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