“十三五”期间，功率半导体产业应有怎样的路线图

(一)坚持创新驱动

创新是产业发展的主引擎，综合国力的竞争归根结底是创新的竞争。我国产业创新能力还不强，关键核心技术对外依存度偏高，以企业为主体的技术创新体系不完善，已经成为产业转型升级的重要制约因素。必须深入实施创新驱动发展战略，把创新摆在产业发展的核心位置，把增强技术实力作为构建产业新体系的战略支点，加快完善以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新体系，营造有利于激励创新的制度环境，推动包括科技创新、模式创新、企业创新、市场创新、产品创新、业态创新、管理创新等在内的全面创新，走创新驱动的产业发展道路。

(二)坚持绿色低碳

绿色低碳发展是实现可持续发展、赢得未来的关键举措。近年来，绿色低碳已经成为世界经济发展重要潮流。无论是从顺应国际大势看，还是从破解能源资源和生态环境约束、适应人民群众对绿水青山的期盼看，绿色低碳都是必然选择。我国产业发展尚未从根本上摆脱高投入、高消耗、高排放的粗放模式，工业生产能效、水效与发达国家仍有很大差距。这就要求我们把绿色发展、循环发展、低碳发展作为基本途径，加快推动生产方式绿色化，加快发展绿色产业，构建科技含量高、资源消耗低、环境污染少的产业结构和生产方式，走生态文明的产业发展道路。

(三)坚持两化融合

信息化和工业化深度融合是打造产业竞争新优势、抢占未来发展先机的有效途径。新一代信息技术向各领域的渗透融合，不仅使智能制造成为新型生产方式，也催生了许多新业态和新的商业模式，产业之间的界限日渐模糊，生产者和消费者之间联系更加紧密，融合发展成为产业发展的重要趋势。我国信息化水平还不高，信息化和工业化融合还有巨大潜力。必须继续做好信息化和工业化深度融合这篇大文章，把智能制造作为两化深度融合的主攻方向，促进信息技术向市场、设计、生产等环节渗透，引导制造业朝着分工细化、协作紧密方向发展，推动生产性服务业与制造业在更高水平上融合发展，走两化融合的产业发展道路。

(四)坚持结构优化

调结构、促升级始终是产业发展的中心任务。虽然我国已初步形成了完整的产业体系，但产业结构和空间布局不合理、产能过剩严重、区域发展同质化等问题仍未得到根本解决，是导致我国经济发展资源环境代价过大、质量效益不高的重要原因。随着我国进入新的发展阶段，新的消费需求、新的装备需求、新的服务需求、新的安全保障需求，又对产业结构升级提出了新的更高要求。我们必须大力推进结构调整，加快发展现代服务业，培育壮大战略性新兴产业，推动传统产业向中高端跃升，持续优化产业组织结构和空间布局，走提质增效的产业发展新路。

(五)坚持开放合作

在经济全球化时代，产业要发展壮大，开放合作是必由之路。随着我国依靠低成本要素优势参与国际分工所获得的全球化红利日趋弱化，推动产业、市场、资本和能源资源开放合作，实现高水平引进来和走出去统筹发展，已经成为拓展产业发展新空间、推动产业向价值链高端跃升的必然选择。这就要求我们实施更加积极的开放战略，用全球视野配置产业链和空间分布，不断拓展新的开放领域和空间，提升企业跨国经营能力和国际竞争力，加强产业全球布局和国际交流合作，在优进优出中实现产业层次和竞争力的提升，走开放合作的产业发展道路。

(六)坚持人才为本

人才是构建产业新体系的骨干力量，产业强国一定是人才强国。美国之所以成为最富创造力的制造强国，与其培养并广泛吸纳了大批科技创新型人才和专业技术人才直接相关。具有工匠品质的“德国制造”，也与其培养的众多高素质技能型人才密不可分。与产业发展需求相比，我国不仅缺乏能够适应创新发展的领军人才和高层次技术人才，还缺少优秀的高水平经营管理人才和高素质专业技能人才。必须把人才作为构建产业新体系的根本保障，建立健全科学合理的选人、用人、育人机制，加快培养和吸引产业发展急需的专业技术人才、经营管理人才、技能人才，建设一支素质优良、结构合理的产业人才队伍，推动“人口红利”向“人才红利”转变，走人才引领的产业发展道路。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

由于电子工业基础薄弱、技术门槛高等原因，我国大功率IGBT器件一度开发滞后，相关技术长期被ABB、英飞凌、三菱等国外公司控制，轨道交通用IGBT曾一度全部依赖进口。

近年来，世界范围内IGBT器件发展迅速，特别是中国发展速度最快，成为IGBT器件最大消费国。未来随着国家节能减排、加强自主创新能力等政策的引导和支持，市场的需求量逐年迅猛增长。据统计，目前我国IGBT年需求量已超过75亿元，而且每年以30%以上的速度增长。我国的技术进步和产业升级对IGBT器件有着很强的依赖性，国内IGBT市场供不应求。有关资料预测，到2020年，仅轨道交通电力牵引每年IGBT模块的市场规模不低于10亿元；此外，智能电网市场也将不低于4亿元。

中国成功研制出8英寸IGBT的意义：智能电网、高铁建设、新能源汽车以及家电节能等本土市场，更为企业的技术突破，实现IGBT的替代创造了坚实的市场基础。尤其是节能与新能源是国家发展新兴科技产业的重点，而IGBT则是节能与新能源领域核心器件，所以IGBT产业化不仅仅是市场需求，同时也是国家发展的战略需求。发改委于2010年3月19日下发红头文件：《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，其专项重点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化。这说明国家对目前功率半导体国产化的现状已有比较深刻的认识和危机意识

半导体国产替代进程加快

2017年以后，国内半导体设备企业的自主化率水平持续加快，实现了多个从0到1的突破，国产替代已成为国内半导体行业的发展新趋势。

据中信建投统计，2019年全球半导体设备市场约576亿美金，国内约130亿美金，占比约22.4%，高于韩国的18%。中信建投表示，中国本土设计、制造、封测、存储等环节不断突破，部分领域已追赶至国际水平。设备和材料环节作为半导体产业链上游核心部分，也正受到重视和扶持，有望加速本土配套。

从电子行业2019年报整体表现来看，2019年半导体板块实现营业收入1333亿元，同比增长19.13%；归属于上市公司股东净利润97亿元，同比增长92.64%。毛利率与净利率分别为23.41%、7.42%。2020年Q1半导体板块营业收入同比增长17.76%，环比下降20.99%；归属于上市公司股东净利润同比增长46.81%，环比下降7.59%。

随着人工智能的快速发展，以及5G、物联网、节能环保、新能源 汽车 等战略性新兴产业的推动下，半导体的需求持续增加。全球半导体协会、中商产业研究院预计2020年中国半导体市场需求规模将进一步扩大，市场需求规模有望达到19850亿元。

A股电子企业有望率先受益

从国内上市公司来看，有不少半导体行业上市公司在新一轮产能扩展期，有望带来新的发展机会。

比如，华微电子就在近期顺势而上，积极向新能源 汽车 、军工、家电等领域快速拓展。作为我国功率半导体生产龙头企业，华微电子自主掌握了IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计等核心工业技术，达到同行业先进水平。华微电子当前拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年400余万片，封装资源为24亿只/年，模块为1800万块/年。公司8英寸生产线预计今年6月份即将投入使用，将成为替代进口的有力竞争者。

近日，国内半导体龙头中芯国际在港交所披露公告称，国家大基金二期与上海集成电路基金二期同意分别向其附属公司中芯南方注资15亿美元、7.5亿美元，汇率换算后，两大国家级基金分别注资106亿元 、53亿元，合计获注资近160亿元。在业内人士看来，中芯国际获大基金重金注资，其背后则是国产芯片自主化的进程正在加快。

国盛证券分析指出， 2019年A股电子板块增速引领全球，同时在2020年一季度疫情影响之下，一批优质龙头仍然交出高增长答卷。随着后续疫情拐点到来，需求恢复叠加新一轮创新启动，A股电子企业有望率先受益，继续迎来黄金发展期。

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