集成电路dummy是什么

作用：保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败。

集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。

它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。

特点：

集成电路或称微电路（microcircuit）、 微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。

前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。

1、保证可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败。

2、避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度，进又而影响其size。

3、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上dummyroutinglayer后者dummy元器件。

扩展资料：

在匹配电路的mos管左右画上dummy，用poly，poly的尺寸与管子尺寸一样，dummy与相邻的第一个polygate的间距等于polygate之间的间距。

金属层dummy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的dummy也是横走向。

多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NpIM层要超出EpOLY20．55um，即两根电阻间距的一半。消除电阻dummy的lvs报错，把nimp和Rpdummy层移出最边缘的电阻，不要覆盖dummy。

IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为dummy layer。有些dummy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal dummy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：

1，MOS dummy

在MOS 两侧增加dummy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS，接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。

3, CAP dummy

增加dummy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。

4, 关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。其他方面，还需要进一步的收集整理。不过从上面一些例子可以看出，Nwell 在保护方面应用广泛。其次个人认为field oxide 有一定的深度与厚度也可以拿来应用。

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